sentry-wafer-allocation 工作笔记

冷启动日期：2026-03-15

所属链：storage/supply | 环节：S④ 晶圆分配

基线数值

HBM 占 DRAM 晶圆投片比（核心指标）

各厂 HBM 月产能（晶圆片/月）

Micron 产能扩充动态

Micron 财报（已更新至 FY2026 Q2，截至 2026-02-26）

管理层关键表态（MU 10-Q FY2026-Q2 MD&A）：

• "AI-driven memory and storage growth is outpacing industry supply"
• "We continue to shift more of our DRAM production to HBM and high-capacity modules"——一手确认晶圆向 HBM 倾斜
• 供给分配决策"may impact certain customers and end markets"——明确承认需求超出供给

供给紧缺传导证据

HBM 代际竞赛

三大厂同步加速代际升级，晶圆分配向 HBM 倾斜趋势持续强化：

• Micron HBM4 正式量产（2026-03-29），面向 Nvidia Vera Rubin 下一代 GPU 平台
• Samsung HBM4 农历新年后首批发货，1c DRAM 产出 ~70,000 片/月（占 Samsung DRAM 总产能 ~10%），良率 ~50% 爬坡中
• SK Hynix 评估台积电 3nm 制造 HBM4E 逻辑芯片（DigiTimes 03-26）——逻辑层外包可释放自有产能给 DRAM die，但 HBM DRAM die 本身仍需先进制程（1-beta/1-gamma），蚕食效应不减反增
• HBM 发明者看好内存主导 AI 架构（2026-04-01）：HBM 发明者 Jung Ho Ahn 公开看好高带宽闪存（HBF），预测 AI 产业未来将从 GPU 主导转向内存主导——结构性确认 HBM 在 AI 系统中价值占比将持续提升，长期强化晶圆分配向 HBM 倾斜的不可逆性
• Arm/Tesla 芯片自研推动 AI 内存需求多元化（2026-04-01）：定制芯片设计扩大 HBM/LPDDR 配套需求，HBM 消耗不再依赖单一 Nvidia 生态
• Micron HBM4 Q2 高良率量产，全年售罄（2026-04-03，来源：TrendForce/Astute Group）：HBM4 供需两旺，1β 支持 2026 HBM 增长，1γ 转型中。HBM TAM CAGR ~40% 至 2028（$35B→$100B）。晶圆向 HBM 集中不可逆

Samsung 罢工风险（新增，2026-03-29）

Samsung 2026 年罢工规模扩大三倍（DigiTimes 03-29），可能影响其 HBM/DRAM 产能爬坡节奏。三层影响：

1. Samsung HBM 产能受损 → HBM 总供给减少 → 供给更紧
2. Samsung 份额转移 → SK Hynix 和 Micron 份额受益
3. Samsung HBM4 良率爬坡延迟 → 已处于 50% 爬坡阶段，罢工可能推迟量产进度

判定：罢工是 Samsung 内部供给风险，不改变整体晶圆分配方向（HBM 持续蚕食）。

Samsung/SK Hynix 中国工厂扩产

Samsung/SK Hynix 2025 年大幅增加中国工厂投资（DigiTimes 03-26）。中国工厂受设备管制限制，主要生产 DDR4/DDR5 成熟制程 DRAM。增加边际传统 DRAM 产能可部分缓解先进制程晶圆向 HBM 倾斜的挤压效应，但量级有限。

TurboQuant 影响评估

Google 发布 TurboQuant KV 缓存压缩算法引发存储股集体大跌（03-26）。从晶圆分配角度判断：即使推理端 DRAM 需求增速放缓，当前 HBM 全线售罄状态由供约束驱动而非需求预期，短期不改变分配优先级。摩根士丹利认为市场过度反应。Memory Wall 持续加高的技术趋势支持长期 HBM 需求（SemiEngineering 03-26）。

判定状态

• 当前状态：🟢 HBM 占比持续上升（SK Hynix ~30%，行业 ~23-25%，上升中）+ DRAM 晶圆总量不增 = 标准 DRAM 供给持续收紧
• 置信度：8/10（Samsung/SK Hynix 全面转向长约锁价进一步锁定晶圆分配优先级 + 美伊停火降低尾部地缘风险 + Phison/Silicon Motion 双重确认 NAND 多年紧缺 + 瑞银/花旗/创见等多源 04-08~09 信号持续共振——晶圆分配方向未变，无任何翻转信号出现）
• 关键翻转条件：HBM 占比见顶回落 → 🟡；HBM 占比回落至 <12% → 🔴
• Micron PSMC P5：brownfield 收购，产出 FY2028+，不改变 2026-2027 零和格局
• MU Q2 财报强力确认：DRAM 收入 QoQ +74%、ASP YoY +115%、DIO 持续下降至 121.9 天——供给紧缺在加剧而非缓和
• SK Hynix M15X 提前：新厂提前 4 个月量产（2026-02），初始 ~10,000 片/月（量小，不改格局）

关键不确定性

1. HBM 占 DRAM 晶圆比为 TrendForce/IDC 估算，非厂商直接披露（偏差可能 +/-3-5ppt）
2. SK Hynix/Samsung 无 SEC 财报，分配策略依赖新闻和行业报道
3. 长鑫存储上海线 2027+ 量产如提前可能增加 DRAM 晶圆总量
4. Samsung 历史上有以量换份额的先例，若打破扩产纪律将改变零和前提
5. Micron PSMC P5 产出时间线若提前（FY2027），可能提前增加晶圆总量
6. TurboQuant 类算法效率提升长期可能抑制 HBM 需求增速（Jevons 悖论是否成立待验证）
7. Samsung 罢工持续性：规模扩大三倍，若持续 >1 个季度将实质影响 HBM4 良率爬坡和月产能目标（2026 年底 25 万片）

指标追踪

时间序列由 ts_tool.py 管理，以下为当前综述：

数值型

• MU DIO: 121.9天（FY2026-Q2），连续3Q下降（135.4→123.1→121.9），改善加速中
• MU DRAM 收入: $18,768M（FY2026-Q2），QoQ +74%，YoY +207%
• MU CapEx: $6,387M（FY2026-Q2），QoQ +19%，全年指引 >$25B 净额
• MU DRAM ASP YoY: +115%（FY2026-Q2），供需紧缺推动 ASP 暴涨
• MU DRAM bit 出货增长: +45% YoY（FY2026-Q2），出货增长强劲

状态型

• HBM 占 DRAM 晶圆投片比: ~30%（SK Hynix）/ ~23-25%（行业整体，持续上升中，自 2025-Q3 ~15% 持续上升）
• HBM 每比特晶圆消耗倍数: 4x（vs 标准 DRAM，自 2025-Q3）
• NAND 产线独立性: 独立（不受 DRAM/HBM 挤占）

事件型

• HBM 代际竞赛: 2026-04-09 Early HBM4 Validation 启动指向 2027 量产，HBM4 每比特晶圆消耗比有望进一步抬升；2026-04-03 Micron HBM4 Q2 高良率量产，全年 HBM 全部售罄；2026-04-01 HBM 发明者预测 AI 从 GPU 转向内存主导；2026-03-29 Micron HBM4 正式量产、Samsung HBM4 首批发货
• Samsung 罢工风险: 2026-03-29 规模扩大三倍，HBM4 产能爬坡存风险
• Samsung/SK Hynix 中国工厂扩产: 2026-04-01 中国存储企业锁定两年晶圆长约，进一步收紧全球晶圆可用量
• 晶圆分配动态: 2026-04-09 Samsung/SK Hynix 全面转向长约锁价（ASP 最高 5x），锁定晶圆分配优先级；2026-04-08 美伊停火降低霍尔木兹航道风险；2026-04-09 YMTC/CXMT 产能方向不变但 IPO 推迟延缓近端节奏；2026-04-07 三星 Q1 运营利润 YoY+700%
• TrendForce/IDC HBM 占比估算: 2026-04-09 Phison 确认 AI NAND 需求超预期 + 瑞银/花旗/Silicon Motion/创见多源交叉验证方向未变；2026-04-04 南亚科技营收暴增佐证价格周期加速上行