摘要
维持 🟢 供给紧缺——SK 海力士 M15X 二期聚焦 HBM/先进 DRAM，wafer 分配持续向 HBM 倾斜。Hanwha TCB 设备扩产意味着更多 wafer 将被转用于 HBM 封装。通用 DRAM/NAND 的 wafer 供给因 HBM 吸附效应持续紧张。
推理链
- SK 海力士 M15X 二期 HBM 聚焦（DigiTimes 03-24）：M15X 定位先进 DRAM 和 HBM 生产，新增 wafer 产能主要服务 HBM。HBM 单 bit 消耗 wafer 量是标准 DRAM 的 3-5 倍（良率+堆叠损耗），wafer 分配进一步向 HBM 倾斜。（来源：news-brief/2026-03-24）
- Hanwha TCB 设备扩产（news-brief/2026-03-24）：更多 HBM 封装产能 = 更多 DRAM wafer 被转用于 HBM = 通用 DRAM 的 wafer 供给更紧。wafer 总量未大幅增长的情况下，HBM 吸附效应是通用 DRAM 供给紧缺的核心驱动。（来源：news-brief/2026-03-24）
- 核心指标未变：HBM wafer 占 DRAM 总 wafer 比例估算 ~20-25%（2026），预计 2027 达 30%+。三大厂 wafer starts 总量持平或小幅增长，增量被 HBM 吸收。MU wafer 分配策略：优先 HBM > 先进 DRAM > 标准产品。（来源：notebook 基线）
- 结论：新 fab 产能聚焦 HBM + 封装扩产加速 wafer 吸附 = wafer 分配持续紧张。置信度 6/10（缺乏精确 wafer starts 数据，依赖估算）。维持 🟢。
数据源
- news-brief/2026-03-24（SK 海力士 M15X、Hanwha TCB）
- notebook 基线（wafer 分配估算、HBM 吸附效应）