摘要
维持 🟢——HBM 占 DRAM 晶圆投片比持续上升至 ~20%+（每比特晶圆消耗 4x），结构性挤压标准 DRAM 供给弹性；Samsung/SK Hynix 中国工厂投资主要是成熟制程 DRAM（不影响前沿晶圆分配）；南亚科技与铠侠/SNDK/Solidigm/Cisco 战略配售深化行业整合；NAND 产线独立不受 DRAM/HBM 挤占；供给紧缺（晶圆分配竞争）维持，置信度 7/10。
推理链
- HBM 占 DRAM 晶圆 ~20%（且上升中）：HBM 每比特消耗 4x 标准 DRAM，投片比从 ~15%（2024）升至 ~20%+。HBM4 量产启动 + 16hi 爬坡将进一步提高比例。（来源：ts_tool summary）
- Samsung/SK Hynix 中国投资（ts 2026-03-26）：主要投资成熟制程 DRAM，不影响前沿晶圆（1beta/1gamma）的分配竞争。前沿晶圆仍优先分配给 HBM 和高端服务器 DRAM。（来源：ts_tool summary）
- 南亚科技战略配售（ts 2026-03-26）：南亚科技完成与铠侠/SNDK/Solidigm/Cisco 的私募配售，存储行业跨界整合加深。对晶圆分配无直接影响但反映行业战略合作加速。（来源：ts_tool summary）
- NAND 产线独立：NAND 使用独立产线，不受 DRAM/HBM 晶圆挤占影响。（来源：ts_tool summary）
- MU DRAM bit shipment +45% YoY：在 HBM 蚕食下仍实现高增长，来自制程迭代（每片 bit 产出提升）而非晶圆投入增加。（来源：ts_tool summary）
- 结论：HBM 蚕食持续挤压标准 DRAM 晶圆供给弹性，供给紧缺格局维持。维持 🟢 7/10。
数据源
- ts_tool summary（HBM 晶圆比、Samsung 中国投资、南亚科技配售、MU bit shipment）