晶圆分配

笔记当日巡检
← 03-292026-03-30→ 03-31
无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢——HBM 占 DRAM 晶圆投片比升至 ~30%（SK Hynix）/ 行业 ~23-25%，三大厂同步加速 HBM4 代际升级（Micron HBM4 正式量产），结构性挤压标准 DRAM 供给态势进一步强化；Samsung 罢工规模扩大三倍带来新不确定性，但整体晶圆分配方向不变，置信度维持 7/10。

推理链

  1. HBM 晶圆占比再度上行：SK Hynix HBM 占自身 DRAM 产能约 30%（2027 年目标 ~40%），行业整体 HBM+GDDR7 等效消耗升至 ~23-25%（TrendForce/DigiTimes 2026-03-29）。较上期基线 ~20% 明显上升，零和格局持续强化。
  1. 代际升级加速晶圆蚕食：Micron HBM4 于 2026-03-29 正式量产（面向 Nvidia Vera Rubin GPU 平台）；Samsung HBM4 首批发货（1c 制程，月产 ~70,000 片，良率 ~50% 爬坡）；SK Hynix 评估将 HBM4E 逻辑层外包台积电 3nm 以释放自有产能。每比特晶圆消耗维持 4x 倍率，代际升级进一步锁定高级 DRAM 产能。
  1. Micron 财报强力确认供需紧缺：FY2026 Q2 DRAM 收入 $18.77B（QoQ +74%，YoY +207%），ASP YoY +115%，DIO 连续三季下降至 121.9 天。管理层明确表态"AI-driven memory growth is outpacing industry supply"并确认持续向 HBM 倾斜晶圆分配。全年 CapEx 指引 >$25B 净额，Q3 指引营收 $32.75-34.25B。
  1. Samsung 罢工引入供给侧不确定性：2026 年罢工规模扩大三倍（DigiTimes 03-29），可能影响 Samsung HBM4 良率爬坡（当前 ~50%）和月产能目标（年底 25 万片）。短期效果为 HBM 总供给略减（更紧），份额偏移至 SK Hynix/Micron；若持续 >1 季度则影响扩产进度。整体晶圆向 HBM 倾斜方向不变。
  1. Samsung/SK Hynix 中国工厂扩产有限缓解：中国工厂受设备管制限制主产 DDR4/DDR5 成熟制程，边际增量有限，不改变先进制程晶圆零和格局。
  1. TurboQuant 算法冲击评估有限：Google TurboQuant KV 缓存压缩引发存储股大跌（03-26），但当前 HBM 全线售罄由供约束而非需求预期驱动；摩根士丹利认为市场过度反应；Memory Wall 技术趋势支持长期 HBM 需求（SemiEngineering 03-26）。
  1. SK 集团会长长期判断：存储晶圆短缺将延续至 2030 年、缺口约 20%（2026-03-17），与当前 SK Hynix 仅约 4 周库存及 DRAM/NAND 合约价大幅上涨（DDR4 月涨 24%，NAND 月涨 >70%）相互印证。
  1. 结论：HBM 占 DRAM 晶圆投片比处于上升通道（SK Hynix ~30%，行业整体 ~23-25%），三大厂 HBM4 代际升级加速蚕食，MU 财报量化确认供需缺口持续扩大，判定维持 🟢。Samsung 罢工是局部不确定性，不触发状态变更。翻转条件（HBM 占比见顶回落）当前无触发迹象。

数据源