全链状态
| 模型 | 环 | 哨兵 | 状态 | 变化 | 置信度 |
|---|---|---|---|---|---|
| demand | D\u2460 | sentry-ai-revenue | 🟢 | -- | 6/10 |
| demand | D\u2461 | sentry-csp-capex | 🟢 | -- | 8/10 |
| demand | D\u2462 | sentry-credit-market | 🟡 | 🟢\u2192🟡 | 6/10 |
| demand | D\u2463 | sentry-rpo | 🟢 | -- | 8/10 |
| demand | D\u2464 | sentry-gpu-demand | 🟢 | -- | 8/10 |
| demand | D\u2465 | sentry-server-oem | 🟡 | -- | 6/10 |
| demand | D\u2466a | sentry-hbm-demand | 🟢 | -- | 9/10 |
| demand | D\u2466b | sentry-dram-demand | 🟡 | -- | 7/10 |
| demand | D\u2466c | sentry-nand-demand | 🟢 | -- | 8/10 |
| demand | -- | sentry-demand-risk | 🟡 | -- | 7/10 |
| supply | S\u2460 | sentry-capex-discipline | 🟡 | -- | 7/10 |
| supply | S\u2461 | sentry-equipment-orders | 🟢 | -- | 8/10 |
| supply | S\u2462 | sentry-process-technology | 🟢 | -- | 7/10 |
| supply | S\u2463 | sentry-wafer-allocation | 🟢 | -- | 8/10 |
| supply | S\u2464 | sentry-utilization | 🟢 | -- | 9/10 |
| supply | S\u2465 | sentry-packaging | 🟢 | -- | 7/10 |
| supply | S\u2466a | sentry-hbm-supply | 🟢 | -- | 8/10 |
| supply | S\u2466b | sentry-dram-supply | 🟢 | -- | 9/10 |
| supply | S\u2466c | sentry-nand-supply | 🟡 | -- | 7/10 |
| supply | -- | sentry-competition | 🟢 | -- | 8/10 |
| supply | -- | sentry-materials | 🟡 | -- | 7/10 |
| supply | -- | sentry-supply-risk | 🔴 | -- | 8/10 |
告警
- sentry-supply-risk 🔴：卡塔尔氦气升级为 indefinite shutdown（冲突结束前不复产），Samsung 罢工 5/21 时间线确认（93% 投票赞成），霍尔木兹封锁第 35 天通行量仍下降 ~97%，日本能源补贴取消落地。
- sentry-credit-market 🟡（changed 🟢\u2192🟡）：关税冲击触发 IG OAS +8bps 至 96bps（100bps 警戒线差 4bps），Oracle CDS 198bps（🔴 阈值差 2bps），MSFT $20B 债券发行推迟。
- sentry-dram-demand 🟡：DDR5 SO-DIMM Q2 合约价 0% QoQ（vs Q1 +89.87%），DDR5 现货连续 2 日持平企稳信号增强。
- sentry-nand-supply 🟡：H2 Samsung V10 430 层 + Kioxia BiCS10 双线放量锁定，YMTC 受限。
- sentry-demand-risk 🟡：Section 232 报告截止日 T-9，CXMT 产能份额 11.1%\u219213.9%（2027）。
- sentry-capex-discipline 🟡：Samsung Q1 2026 财报本月发布为 🔴 触发窗口。
- sentry-materials 🟡：Trump 48h 最后通牒 4/6 到期为二元分叉点，韩国 fab 氦气工作库存仅 ~1 周。
- sentry-server-oem 🟡：SMCI 刑事+集体诉讼三重叠加。
变化
- sentry-credit-market：🟢\u2192🟡，关税冲击（4/2 宣布 + 4/4 中国反制）触发 IG OAS 单日 +8bps 至 96bps，Oracle CDS 激增至 198bps，一级市场窗口关闭。其余 21 个哨兵状态未变。
关键增量信号
- 卡塔尔氦气 indefinite shutdown（sentry-supply-risk）：QatarEnergy 明确冲突结束前不复产，恢复时间线推迟至 2026 年底+，氦气现货价翻倍。
- 信用市场急剧收紧（sentry-credit-market）：IG OAS 96bps + Oracle CDS 198bps 双双逼近红灯阈值，一级市场发行窗口关闭。
- 南亚科技 3 月营收 YoY +560%（多哨兵交叉引用）：二线 DRAM 厂创纪录营收确认涨价周期从报价到变现的完整传导。
- AI 服务器内存 BOM 占比 8%\u219230%（多哨兵交叉引用）：结构性需求重构，每台 AI 服务器存储美元价值 3-4 倍于传统服务器。
- MSFT 系统性去 OpenAI 依赖（sentry-ai-revenue, sentry-rpo）：Copilot 多模型 + 独立 AI 研发 + 重新谈判合约，循环融资闭环开始解耦。
- NVDA 企业 AI Agent 平台（sentry-gpu-demand）：17 家 ISV 接入，推理算力新增长极。
- ABF 基板涨价确认（sentry-packaging）：Semco 再度上调，封装瓶颈持续加剧。
- Samsung 罢工 5/21 确认（sentry-supply-risk, sentry-materials）：93% 投票赞成，18 天总罢工，平泽占 >70% Samsung 高端内存产能。
综合判定
整体状态 🟢 看多，置信度 7/10，不变。 需求端资金路径（D\u2461D\u2463）和产品路径（D\u2464D\u2466abc）同时维持正面，供给端三重约束（S\u2460S\u2461S\u2462）中仅 S\u2460 一重松动，满产（S\u2464 9/10）和全线售罄（S\u2466a）格局稳固。信用市场转黄和地缘风险红灯是当前最大不确定性来源，但尚未传导至 CapEx 执行或存储出货基本面。DIO\u2193 + 合约价\u2191 = 供不应求格局稳固。
Part 1：需求端跨路径分析
1.1 D\u2460 前提检查
sentry-ai-revenue 状态 🟢（6/10）。前提成立，继续后续分析。
核心数据：营收/CapEx 比值 ~1:5 维持绿灯区间（未恶化至 1:6 红线），OpenAI ARR $25B + Anthropic ARR $19B + 广义 AI 合计 ARR $56B。新增结构性主题：MSFT 系统性去 OpenAI 依赖（Copilot 多模型 + 独立 AI 研发），AI 模型生态碎片化加速，利好应用层总量但单家定价权下降。D\u2460 前提判定净中性。
置信度锁定说明：D\u2460 置信度 6/10 为结构性锁定（核心 AI 公司未上市，无结构化财报），不可突破直至 IPO 或官方财报披露。全链置信度不因 D\u2460 降档——前提成立即可。
1.2 双路径交叉验证
资金路径（D\u2461D\u2462D\u2463）状态汇总：
- D\u2461 CSP CapEx：🟢 8/10 — Big 5 FY2026 合计 $6,900B 指引不变，AMZN $2,000B 确认，MSFT 日本 $100 亿，YoY >50%
- D\u2462 Credit Market：🟡 6/10 — IG OAS 96bps 逼近警戒线，Oracle CDS 198bps，MSFT $20B 发行推迟
- D\u2463 RPO：🟢 8/10 — 四大 CSP RPO 总计 $1,671B 历史新高（ORCL +325%，MSFT +110%）
资金路径判定：偏强。D\u2461D\u2463 双绿且指标极强（CapEx $6,900B + RPO $1,671B），D\u2462 转黄属宏观系统性冲击（关税），非 AI 需求层面问题。信用市场紧缩尚未传导至任何 CSP CapEx 下调信号。
产品路径（D\u2464D\u2465D\u2466abc）状态汇总：
- D\u2464 GPU：🟢 8/10 — NVDA DC $62.3B（YoY +75%），AMD DC $5.4B（YoY +39%），AVGO AI $8.4B（YoY +106%）
- D\u2465 Server OEM：🟡 6/10 — DELL AI 服务器积压 $43B（QoQ +133%，极强），SMCI 治理风险三重叠加
- D\u2466a HBM：🟢 9/10 — 三家全线售罄至 CY2026 底，MU CMBU $7,749M（QoQ +46.7%）
- D\u2466b DRAM：🟡 7/10 — MU DRAM $18.77B（YoY +207%），但 Q2 DDR5 合约价 0% QoQ
- D\u2466c NAND：🟢 8/10 — MU NAND $4,997M（YoY +169%），SNDK Q3 指引 $4.4-4.8B
产品路径判定：偏强。D\u2464 根部极强，D\u2466a/c 分支强势。D\u2465 黄灯为 SMCI 个体治理风险（DELL 可承接），D\u2466b 黄灯为合约价减速的数学正常化（南亚科 +560% 证明变现完整），均不构成路径级告警。
双路径交叉判定：
| 资金路径 | 产品路径 | 判定 |
|---|---|---|
| D\u2461D\u2463 强 + D\u2462 黄 | D\u2464D\u2466a/c 强 + D\u2465D\u2466b 黄 | 需求验证通过 + 货在走 + 价在涨，信用市场和合约价减速需密切监测 |
按 synthesis 定义矩阵，接近第一行"资金路径强 + 产品路径强 + D\u2466abc 亮"，但 D\u2466b 黄灯和 D\u2462 黄灯使整体从"最高置信度"降为"高置信度"。净判定：需求端偏强，黄灯为边际扰动而非结构性恶化。
1.3 首尾验证
- D\u2461（CapEx 起点）+ D\u2466abc（需求终点）：D\u2461 🟢（$6,900B YoY >50%）+ D\u2466a 🟢（全线售罄 9/10）+ D\u2466b 🟡（合约价减速但收入 +207% YoY）+ D\u2466c 🟢（合约价 +33.91% MoM）。首尾基本同向看多，D\u2466b 合约价减速是从极端基数正常化。双重确认。
- D\u2464（产品源头）+ D\u2466abc（需求终点）：D\u2464 🟢（三家 DC 收入全线高增）+ D\u2466abc 以上。全链传导确认。
1.4 产品路径内部规则
当前模式：D\u2464 亮 + D\u2466a 亮 + D\u2466c 亮 + D\u2466b 黄。
按矩阵匹配"D\u2464 亮 + 分支参差"——即 H2 2026 最可能场景。需求在，DRAM 合约价从极端涨幅正常化（D\u2466b 黄灯），NAND 需求端健康（D\u2466c 绿），HBM 满分（D\u2466a 9/10）。
分支置信度：D\u2466a（9/10）> D\u2466c（8/10）> D\u2466b（7/10），与模型基线趋势一致。D\u2466a 从基线 8/10 上调至 9/10（售罄 + BOM 占比跃迁），D\u2466c 从基线 6/10 上调至 8/10（企业 SSD 全面强势 + Samsung 罢工推迟供给潮），D\u2466b 维持 7/10。
1.5 跨分支效应与独立性
- HBM 蚕食 DRAM 晶圆：D\u2466a HBM 需求 🟢 + S\u2463 晶圆分配 🟢（HBM 占 DRAM 晶圆比 ~23-25%，SK Hynix ~30%）。预期路径运行：HBM 增长 \u2192 标准 DRAM 供给收紧 \u2192 DRAM 价格利好。南亚科 +560% 为终端验证。
- 服务器 DRAM 和 SSD 联动：D\u2465 DELL 积压 $43B \u2192 D\u2466b + D\u2466c 同时受益。AI 服务器 BOM 8%\u219230% 为结构性乘数。
- D\u2466a HBM 为 MU 特有风险：VR200 旗舰排除（0% 份额），但全年售罄 + HBM4E（2027）为追赶窗口。
- D\u2466c QLC 替代独立于 AI：下行保护，渗透率数据频率低，当前为黄灯调节因子。
1.6 需求端传导时滞
全链传导已完整兑现，当前处于"量价齐升"阶段：
- D\u2461 \u2192 D\u2464（0-2Q）：$6,900B CapEx \u2192 NVDA DC $62.3B/Q，已兑现
- D\u2464 \u2192 D\u2465（1-2Q）：GPU 出货 \u2192 DELL 积压 $43B，已兑现
- D\u2464 \u2192 D\u2466a（0-1Q）：GPU 设计锁定 HBM，三家售罄，已兑现
- D\u2465 \u2192 D\u2466b/c（0-1Q）：服务器采购 \u2192 MU DRAM $18.77B / NAND $4,997M，已兑现
D\u2466b 合约价减速是价格端首次分化信号，非传导断裂。
Part 2：供给端跨路径分析
2.1 三重约束联合判定
| 约束 | 哨兵 | 状态 | 详情 |
|---|---|---|---|
| S\u2460 扩产纪律 | sentry-capex-discipline | 🟡 | MU 2 个 Greenfield，Samsung $73B CapEx（+128% YoY），Samsung Q1 财报本月为 🔴 触发窗口 |
| S\u2461 设备瓶颈 | sentry-equipment-orders | 🟢 | AMAT Memory 38%（<40%），升级/转产为主，无 greenfield 大单，AGS 创纪录（存量升级确认） |
| S\u2462 工艺壁垒 | sentry-process-technology | 🟢 | DRAM/NAND bit supply growth ~16% YoY < 阈值，Samsung V10 延迟至 10 月，16hi 良率瓶颈 |
按三重约束矩阵：「松动 🟡 x 瓶颈 🟢 x 壁垒高 🟢」= 想扩也要等 18 月 + 设备。启动预警倒计时，不紧急。
三重同时松动条件远未满足。S\u2460 松动来自 MU Greenfield 和 Samsung CapEx 意志表达，但 S\u2461 无 greenfield 大单（AMAT/LRCX 升级/转产），S\u2462 bit supply growth 远低于阈值。产能释放约 2028 年。
关键窗口：Samsung Q1 财报（本月），若附带 Greenfield fab 公告 = 多家同时宣布 = S\u2460 🔴。概率评估：中等偏低（Samsung 罢工 + 良率问题制约执行意愿）。
2.2 S\u2460\u2192S\u2461 投资意图验证
| S\u2460 CapEx 指引 | S\u2461 Memory 订单 | 判定 |
|---|---|---|
| MU >$25B（大幅上修）+ Samsung $73B（+128%） | AMAT Memory 38% + LRCX Memory 34% + SK Hynix 创纪录 ASML 订单（HBM4 升级型） | 矛盾偏正面：CapEx 大幅上修但设备端 Memory 占比未爆升，无 greenfield 大单，指向升级/转产 |
AMAT AGS 创纪录 $1,559M（服务 + 升级 + 维护）增速 > Semi Systems，确认存量升级为主（正面）。ASML 罢工（04-04）短期可能影响 EUV 交付，间接收紧设备端约束。
2.3 S\u2463 晶圆零和博弈 \u2192 分支分化
| S\u2463 HBM 占比 | S\u2466a HBM | S\u2466b DRAM | 判定 |
|---|---|---|---|
| \u2191 上升（行业 ~23-25%，SK Hynix ~30%） | 产出\u2191，全线售罄 | 供给紧缺，bit growth 13% YoY | 预期路径——HBM 蚕食利好 DRAM 价格 |
南亚科 +560% YoY 是零和博弈在价格端的终极验证。Samsung 年底 HBM 晶圆目标 250K 片/月（+47% YoY），标准 DRAM 可用晶圆将持续压缩。
拐点监测：HBM 占比见顶回落 = 晶圆回流标准 DRAM = 突然宽松。当前无任何见顶迹象。
S\u2466c NAND 产线独立，不参与零和博弈。NAND 供给压力由 S\u2464 利用率复产和三线放量驱动。
2.4 S\u2464 利用率拐点检测
sentry-utilization 🟢 9/10 — 满产确认（最高层级）：
- MU + SNDK 连续两季 underutilization charges $0
- MU DIO 121.9 天（连续 3Q 下降），SNDK DIO 121.0 天（微升但远低于告警阈值）
- 南亚科 +560% 二线厂营收爆发 = 行业级无差别涨价传导
- MU 成品库存占比 9.8%（从 13.9% 下降）
拐点第一枪未出现。失效条件全部未触发。
Samsung 特别关注：产量增幅数据待 Q1 财报确认。罢工（5/21）若落地将边际降低产出，短期进一步收紧。
交叉验证：S\u2464 满产 + DIO\u2193 = 产品出去得比生产快 = 供不应求。不存在"满产但卖不动"。
2.5 S\u2465 封装瓶颈 x S\u2466a HBM 产出
| S\u2465 封装 | S\u2466a HBM | 判定 |
|---|---|---|
| CoWoS 全额预订 2026-2027 + ABF 涨价（Semco 04-04 确认）+ 交期 >35 周 | 全部售罄至 CY2026 底 | 封装限产，供给紧缺 |
匹配矩阵第一行。Ibiden AZ 新厂 2027 底才量产，ABF 供需缺口 ~20% 无短期解药。
额外约束：氦气 indefinite shutdown 可能间接影响封装工序，但尚未传导至封装产能。氦气硬触发点 2026-04-29（封锁满 1 月）。
2.6 S\u2466abc 品类分化判定
| 品类 | 供给哨兵 | 需求哨兵 | 综合状态 |
|---|---|---|---|
| S\u2466a HBM | 🟢 8/10（全线售罄） | 🟢 9/10（三家售罄） | 最强 |
| S\u2466b DRAM | 🟢 9/10（bit growth 13%，供给紧缺） | 🟡 7/10（合约价减速） | 供给极紧 + 需求边际放缓 |
| S\u2466c NAND | 🟡 7/10（H2 双线放量） | 🟢 8/10（企业 SSD 强势） | 需求强 + H2 供给压力 |
当前模式：S\u2466a/b 绿 + S\u2466c 黄（供给端）= H2 2026 基准情景——NAND 三线放量先压价。
品类级处理：
- HBM：最高置信度，供需双向确认
- DRAM：持有，合约价减速为基数正常化，供给端 bit growth 13% 远低于 20% 阈值
- NAND：降低 H2 预期，Samsung V10 + Kioxia BiCS10 双线放量已锁定。Samsung 罢工可能推迟 V10 节奏
2.7 供给端传导时滞
- S\u2460 CapEx（MU Greenfield）\u2192 S\u2466 产出：24-36 月 = 2028+
- S\u2464 减/复产 \u2192 S\u2466：1-2Q。当前满产，无减产信号
- S\u2465 封装扩产 \u2192 HBM 释放：12-18 月。Ibiden AZ 2027 底
价格缓解不早于 2028 年。 2026-2027 供给紧缺格局由满产 + 低 bit growth + 封装瓶颈三重锁定。
Part 3：跨模型交叉验证
3.1 供需矩阵
整体：需求 🟢 + 供给紧缺 🟢 = 最高置信度框架
| 品类 | 需求 | 供给 | 判定 |
|---|---|---|---|
| HBM | 🟢 全线售罄 | 🟢 封装限产 | 最高置信度 |
| DRAM | 🟡 合约价减速 | 🟢 bit growth 13% | 高置信度——供给极紧，需求端减速为正常化 |
| NAND | 🟢 企业 SSD 强 | 🟡 H2 双线放量 | 中高置信度——需求健康，H2 供给压力 |
DIO + 合约价交叉验证：
| 指标 | 数据 | 信号 |
|---|---|---|
| MU DIO | 121.9 天（连续 3Q 下降） | 供不应求 |
| SNDK DIO | 121.0 天（微升 +5.22% QoQ） | 基本平衡 |
| MU 成品占比 | 9.8%（极低，从 13.9% 下降） | 产品出去得快 |
| DRAM 合约价 | DDR4 +13.46% MoM（Q2 初始） | 上涨中（减速） |
| NAND 合约价 | 128Gb +33.91% MoM | 强势上涨 |
综合：DIO\u2193 + 合约价\u2191 = 最强信号——供不应求，库存去化。
DIO 归因判定：D\u2464/D\u2465 仍强（GPU 出货高增 + DELL 积压 $43B），DIO 下降指向供给端产能约束而非需求减产去库。与 S\u2464 满产（9/10）和 bit supply growth 13% 完全一致。
3.2 供给端拐点预警时序
`
拐点传导路径（2026-04-04 位置标注）：
S\u2460 扩产决策（🟡 松动，MU Greenfield + Samsung $73B）
\u2192 S\u2461 设备到位（🟢 无 greenfield 大单，12-18 月后 ~2027H2）
\u2192 S\u2462 工艺量产（🟢 bit growth 13%，18-30 月后）
\u2192 产能释放（尚未开始，最早 2028）
\u2192 DIO 上升（当前 DIO 在下降）
\u2192 合约价见顶（当前仍在上涨）
当前处于链条最前端，距拐点兑现至少 6-8 个季度。
行动窗口：2026-2027 全年完整开放。
`
需求端-供给端时差：S\u2460 🟡 预警已出现，但需求端除 D\u2466b 外全绿。正是模型预期的"供给端前瞻预警型 vs 需求端滞后确认型"。
3.3 个股风险
MU：
- VR200 旗舰 HBM 0% 份额，但 2026 全部售罄 + Rubin CPX/Vera LPDDR5X 供应
- HBM4E（2027）转向 TSMC N3P base die = 三家同一起跑线
- CMBU $7,749M（QoQ +46.7%），Non-GAAP GM 指引 81%（史无前例）
- 霍尔木兹封锁下 MU 相对受益：Boise + 台中可满产 \u2192 涨价 + 份额双击
SNDK：
- JV 与 Kioxia 共用 fab（100% 日本），地缘集中度极高
- 封锁下 NAND 为"集体死亡模式"——日韩 ~80% 同时承压，不单杀 SNDK
- Q3 指引 $4.4-4.8B，sales incentive 14%，定价权增强
- Samsung V10 延迟至 10 月 = SNDK H2 最大利好（供给潮右移）
3.4 地缘风险专题：霍尔木兹封锁影响评估
sentry-supply-risk 🔴（8/10）为全链最高级别告警。
核心影响路径：
- 氦气：卡塔尔 indefinite shutdown，全球缺口 ~15%，韩国 fab 工作库存仅 ~1 周，4/6 Trump 最后通牒到期为二元分叉
- 日本能源：LNG 补贴取消 + JKM $18.75（+56-88%），日本 fab 电价完全暴露
- Samsung 罢工：5/21 启动 + 氦气双重压力
对投资论点的影响：
- 封锁是系统性风险（影响全行业），非差异化风险
- 直接效果：减少供给 \u2192 涨价（类似 OPEC 减产）
- DRAM：MU 相对受益（Boise + 台中）；NAND：集体死亡模式
- 真正风险：封锁导致全球衰退 \u2192 AI CapEx 削减 \u2192 需求崩塌
当前判定：CSP CapEx 无任何下调信号，IG OAS 96bps 仍在正常区间上沿（非衰退级）。地缘风险尚未传导至需求端基本面。
整体置信度建议
需求端模型
- 建议置信度：7/10（维持模型基线）
- 方向：看多
- 依据：资金路径 D\u2461D\u2463 极强（$6,900B + $1,671B），产品路径 D\u2464D\u2466a/c 全绿且 D\u2466a 9/10，D\u2466b 合约价减速为基数正常化，D\u2462 信用市场转黄为系统性宏观冲击
- 正面因素 > 风险因素
- 与模型头部声明（7/10）一致，不调整
供给端模型
- 建议置信度：7/10（维持模型基线）
- 方向：供给紧缺
- 依据：三重约束远未同时松动，S\u2464 满产 9/10，S\u2466a 全线售罄，bit supply growth 远低于阈值。S\u2460 松动为唯一预警但距产能释放 24-36 月
- 风险因子：sentry-supply-risk 🔴（地缘 + 氦气 + Samsung 罢工）为系统性风险，短期效果是收紧而非释放供给，但若长期持续可能通过需求端传导压制整体置信度
- 与模型头部声明（7/10）一致，不调整
综合投资置信度
- 综合置信度：7/10，方向：看多，行动：维持持仓
- 核心逻辑未改变：供需缺口仍在扩大，DIO\u2193 + 合约价\u2191 = 最强供需信号，供给端 24-36 月拐点窗口完整，需求端 AI CapEx 投资周期延续
- 地缘风险（🔴）和信用市场（🟡）为两大密切监测项，但尚未传导至基本面
下一步关注
近 7 天内催化剂
| 日期 | 事件 | 影响 |
|---|---|---|
| 2026-04-06 | Trump 48h 最后通牒到期 | 氦气危机二元分叉点 |
| 2026-04-13 | BIS IC designer 认证截止 | 出口管制政策窗口 |
| 2026-04-14 | Section 232 90 天报告截止 | 存储关税扩展风险 |
| 2026-04-15 | ASML Q1 2026 财报 | 设备端存储占订单比基线数据 |
中期检验节点（1-3 个月）
| 时间 | 事件 | 影响 |
|---|---|---|
| 2026-04-17 | TSMC Q1 财报 | CoWoS 产能数据 |
| 2026-04 下旬 | MSFT/GOOGL/META Q1 财报 | CSP CapEx 执行验证 |
| 2026-04 下旬 | Samsung Q1 财报 | S\u2460 🔴 触发窗口（Greenfield 公告） |
| 2026-04-23 | Samsung 平泽集会 | 罢工前哨事件 |
| 2026-04-29 | 霍尔木兹封锁满 1 月 | 氦气告警升级硬触发点 |
| 2026-05 | DELL Q1 FY2027 / SMCI Q3 FY2026 | OEM 验证 |
| 2026-05-21 | Samsung 18 天总罢工启动 | 供给端冲击 |
| 2026-06-25 | MU Q3 FY2026 财报 | 全链核心数据更新 |
长期跟踪项
- CXMT 产能轨迹：11.1%\u219213.9%（2027），HBM3 量产进展
- 折旧墙：CSP D&A 持续高增（MSFT +77%，ORCL +92%），2028 窗口
- HBM4E 竞争格局（2027）：MU 转向 TSMC N3P base die
- NAND H2 2026 三线放量：Samsung V10 + Kioxia BiCS10 + YMTC
- MU NY Megafab / Singapore NAND Fab 产出时间线（2028+）
数据源
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-ai-revenue.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-csp-capex.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-credit-market.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-rpo.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-gpu-demand.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-server-oem.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-hbm-demand.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-dram-demand.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-nand-demand.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/demand/sentry-demand-risk.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-capex-discipline.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-equipment-orders.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-process-technology.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-wafer-allocation.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-utilization.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-packaging.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-hbm-supply.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-dram-supply.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-nand-supply.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-competition.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-materials.md
- sentry-reports/2026-04-04/storage/supply/sentry-supply-risk.md