工艺演进与良率

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无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢：工艺演进按路线图正常推进，无新节点加速或多厂同步量产迹象，行业 DRAM/NAND bit supply growth 均维持供给偏紧水平（~16% YoY < 需求增速），三重供给约束链完整维持。

推理链

  1. DRAM 制程：MU 1gamma 量产中（2026-03-30 确认），SK Hynix 1c ~80% 良率主供 HBM4，Samsung 1c HBM4 良率 50-60% 未达量产门槛+罢工影响爬坡。各厂按路线图单独推进，不满足 🟡 的"多厂同时大规模量产+bit/wafer 跳升"条件。行业 DRAM bit supply growth 维持 ~16% YoY（IDC），远低于 20% 阈值。来源：ts_tool summary、笔记 DRAM 制程段。
  1. NAND 层数：Samsung V10 430 层确认延迟至 2026-10（超低温刻蚀 -60/-70°C 技术挑战），Kioxia BiCS10 332 层产能已售罄（不构成净增量），YMTC ~294 层受实体清单限扩。H2 2026 前双线增量放量风险消除。TrendForce 确认 2026 NAND bit supply growth +15-17% YoY < 需求 +20-22%，供给缺口持续扩大，未触发 🟡 双线放量条件。来源：ts_tool summary、笔记 NAND 层数段。
  1. HBM 堆叠：三大厂均已量产 HBM4 12hi，但 16hi 受良率瓶颈制约——SK Hynix ~50-60%（M15X 11 月量产爬坡），Samsung ~10%（极低，未量产就绪）。16hi 产能受限对 H2 2026 HBM 供给构成约束，维持供给偏紧。来源：ts_tool summary、笔记 HBM 堆叠段。
  1. 设备端交叉验证：ASML 裁员 1700 人引发千人罢工（2026-04-04），反映非 AI 领域设备需求疲软，但 EUV 垄断地位不受影响——先进存储制程的 EUV 供给约束持续。LRCX FQ2 2026 业绩受 AI 驱动刻蚀/沉积需求支撑，验证先进制程投资周期持续（Samsung V10 超低温刻蚀合作方）。设备端数据与工艺进展节奏一致。来源：news-brief/2026-04-04。
  1. DRAM 价格验证：Nanya Technology 3 月营收 MoM +16%、YoY +560% 创历史纪录（DigiTimes 2026-04-04），二线厂商 560% YoY 增长极端强劲——反映供给侧约束在价格端的高效传导，与工艺壁垒维持判断完全一致。来源：news-brief/2026-04-04。
  1. 结构性需求信号：AI 服务器内存支出占 BOM 比从 8% 飙升至 30%（华尔街见闻深度），HBM 和高容量 DRAM 成最大增量支出项。Montage（澜起）DDR5 营收 +50%/利润 +58% 验证 DDR5 渗透加速。需求端结构性强化与供给端工艺壁垒抬升形成共振。来源：news-brief/2026-04-04。
  1. Google TurboQuant：持续发酵但 Jevons 悖论论点浮现（效率提升反可能扩大总需求）。供给侧工艺影响=零，已于 2026-04-03 关闭为噪音事件，不计入判定。来源：news-brief/2026-04-04。
  1. 结论：行业 DRAM bit supply growth ~16% YoY、NAND ~16% YoY 均低于阈值；无多厂同期大规模量产突破；Samsung V10 延迟+16hi 良率瓶颈维持 NAND/HBM 供给上限；设备端（ASML/LRCX）与工艺进展节奏一致；Nanya 营收极端增长验证价格周期传导。三重约束（扩产纪律、设备瓶颈、工艺壁垒）同时维持，状态维持 🟢，置信度 7/10。

数据源