摘要
维持 🟢：制程端无增量信号，Samsung Q2 DRAM 合约价再涨 30%（Q1 已翻番）间接确认供给紧缺非由技术节点加速造成。工艺演进按路线图推进，三重供给约束链完整维持。
推理链
- 无新制程节点推进公告：今日无 DRAM/NAND 先进制程相关新闻。MU 1-gamma（2027 量产）、Samsung 1c（扩产中）、Kioxia BiCS10（提前量产）——均维持已知时间表。数据源：ts_tool summary。
- Samsung Q2 DRAM +30% 验证供给紧缺：Samsung Q2 DRAM 合约价再涨 30%（Q1 已翻番），价格强势验证供给端紧缺状态。紧缺主要由需求驱动（AI 结构性增长）+ 供给纪律维持，而非技术瓶颈导致。数据源：news-brief/2026-04-05 MU。
- DRAM bit supply growth ~16% YoY：行业 DRAM 供给增速维持 ~16% YoY（低于需求增速），制程演进贡献的增量有限——EUV 仍未大规模应用于 DRAM，层数/缩晶提升空间收窄。数据源：ts_tool summary。
- NAND 层数竞赛正常推进：400+ 层为 2026 量产目标（Samsung V10 430 层、Kioxia BiCS10 332 层、MU 300+ 层）。无加速信号，也无延迟公告。数据源：ts_tool summary。
- 结论：制程端为低信号日。工艺演进按路线图推进，供给紧缺非技术瓶颈所致。三重供给约束链（制程/封装/晶圆分配）完整维持。维持 🟢，置信度 7/10。
数据源
- news-brief/2026-04-05（Samsung Q2 DRAM 涨价）
- ts_tool summary（制程节点时间表、bit supply growth）