摘要
维持 🟡 中性偏看跌（H2 2026 供给潮）——今日无 NAND 供给侧特异性数据。DFI 内存短缺警告覆盖 NAND，短期供给偏紧。但 H2 2026 供给潮风险（Samsung 400+/Kioxia BiCS10/YMTC 三线放量）未消除，维持黄灯。
推理链
- DFI H1 内存供应紧张（news-brief/2026-03-24）：工业终端报告内存（含 NAND）供应紧张，确认当前供给偏紧。但 H1 供给紧张与 H2 供给潮可以并存——当前短缺反映的是 H1 产能利用率仍在 wafer 转换调整期，H2 新产能释放后格局可能反转。（来源：news-brief/2026-03-24）
- SK 海力士 CapEx 聚焦 DRAM/HBM（DigiTimes 03-24）：$79 亿 ASML EUV 订单和 M15X 二期均面向 DRAM/HBM。SK 海力士 NAND 投资相对保守，不是今日数据的焦点。NAND 供给扩张主要来自 Samsung（400+ 层）、Kioxia（BiCS10）和 YMTC。（来源：news-brief/2026-03-24）
- H2 供给潮风险评估不变：Samsung V10 400+ 层、Kioxia BiCS10、YMTC 三线计划 H2 2026 放量。Samsung 控产基调可能在 H2 翻转（Samsung 传统上在利润改善后率先扩产）。这是 NAND 置信度锁定 6/10 和黄灯的主因。（来源：notebook 基线）
- 结论：H1 供给偏紧 + H2 供给潮风险 = 短期供需平衡但中期看空。维持 🟡 6/10。
数据源
- news-brief/2026-03-24（DFI 内存短缺、SK 海力士 DRAM 投资）
- notebook 基线（H2 供给潮评估、Samsung/Kioxia/YMTC 扩产计划）