NAND 产出

无变化 · 🟡 6/10

摘要

维持 🟡 中性偏看跌(H2 2026 供给潮)——Wedbush 看多存储价格涨超 100% 但 NAND 供给弹性高于 DRAM/HBM。Samsung 工会获批罢工可能短期减少 NAND 产出,但 H2 三线放量(Samsung 400+/Kioxia BiCS10/YMTC)风险仍是核心不确定性。今日无 NAND 专项供给数据更新。

推理链

  1. Wedbush 存储价格涨超 100%(Yahoo/华尔街见闻 03-23):Wedbush 看多覆盖全存储品类,但 NAND 涨价幅度预计弱于 HBM/DRAM——NAND 供给弹性更大(扩产周期更短、技术门槛较低)。(来源:news-brief/2026-03-23)
  1. Samsung 工会获批罢工(DigiTimes 03-23):Samsung NAND 全球份额 ~35%,若罢工执行可能短期减少产出,有利于 NAND 价格。但韩国半导体工会罢工执行力历史上有限。(来源:news-brief/2026-03-23)
  1. H2 2026 供给潮风险不变:Samsung 400+ 层、Kioxia BiCS10、YMTC 三线同时放量。时间和规模难预测但方向确定——H2 NAND 供给增量将显著大于 H1。这是维持 🟡 的核心原因。(来源:notebook 基线)
  1. 核心指标未变:NAND 合约价 QoQ 正增长中,企业 SSD 需求强劲。但 consumer NAND 供给相对宽松。(来源:notebook 基线)
  1. 结论:短期供给偏紧(渠道确认 + Samsung 罢工风险),但 H2 供给潮核心风险不变。维持 🟡 6/10。

数据源