DRAM 产出

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无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢 供给紧缺——SK Hynix ADR 上市拟融资扩产但聚焦 HBM/先进 DRAM，通用 DRAM wafer 供给未增。Kioxia 投资南亚科技签长期 DRAM 供应合同，下游锁定行为确认 DRAM 供给紧缺。美光新加坡扩产引发变压器短缺，物理约束限制产能释放。LPDDR6 工程设计推进，下代 DRAM 技术开发消耗研发资源。

推理链

  1. SK Hynix ADR 融资扩产（news-brief 03-25）：拟融资扩产 HBM/先进存储。对 S⑦b 含义：HBM 扩产继续吸附 DRAM wafer（每片 HBM wafer 产出的通用 DRAM bit 更少），HBM 产能扩张 = 通用 DRAM 供给被进一步挤压。SK Hynix 未提及通用 DRAM wafer 扩产。（来源：news-brief/2026-03-25）
  1. Kioxia 投资南亚科技 774 亿日元（news-brief 03-25）：NAND 厂商提前锁定 DRAM 供应。对 S⑦b 含义：下游客户（即使是 NAND 厂商为自身产品配套）都需要提前锁定 DRAM 供应 = DRAM 供给紧缺的有力旁证。（来源：news-brief/2026-03-25）
  1. 美光新加坡扩产引发变压器短缺（news-brief 03-25）：Micron 新加坡新产能建设可能引发全球变压器短缺。对 S⑦b 含义：DRAM 产能扩张受电力基础设施约束，产能释放时间可能延后。变压器短缺是全行业问题，不限于美光。（来源：news-brief/2026-03-25）
  1. LPDDR6 工程设计推进（news-brief 03-25）：从 LPDDR5X 到 LPDDR6 的技术迁移消耗研发和工程资源，可能分散对通用 DRAM 量产优化的精力。但 LPDDR6 量产预计 2027，当前周期影响有限。（来源：news-brief/2026-03-25）
  1. 结论：SK Hynix 扩产聚焦 HBM 持续挤压通用 DRAM wafer，Kioxia 锁定供应确认紧缺，美光扩产受基础设施约束。DRAM 供给紧缺维持。维持 🟢 7/10。

数据源