DRAM 产出

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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢——MU Q2 FY2026 全面创历史记录（营收 $23.9B 大幅超指引、毛利率 74%、DIO 续降至 122 天、产能闲置费 $0），MD&A 明确供不应求做出供给分配决策，DRAM 供给紧缺格局进一步加剧；TurboQuant 恐慌不改变供给侧约束，置信度因硬数据确认上调至 8/10。

推理链

  1. MU Q2 FY2026 大幅超预期确认供给紧缺加剧：营收 $23,860M 超指引上限 $19.1B 达 25%，DRAM 收入 $18,768M（YoY +207%），GAAP 毛利率 74.42% 远超指引 66-68%。MD&A 明确表述 "AI-driven demand outpacing industry supply" 及 "supply allocation decisions"——这是从价格信号升级到实际分配管控的质变。（来源：MU 10-Q FY2026-Q2，2026-03-19）
  1. DIO 连续下降确认库存消化加速：135.4天（FY2025）→ 123.1天（Q1）→ 121.9天（Q2），成品库存占比从 13.9% 降至 9.8%（$812M），产品出去得比生产快。产能闲置费持续 $0 确认满产状态。（来源：MU 10-Q FY2026-Q2）
  1. DRAM ASP 加速度仍在扩大：YoY 从 +40%（FY2025）→ +mid-30%（Q1）→ +mid-110%（Q2），TrendForce DDR4 合约价 QoQ +23.81%，SO-DIMM +83-90% QoQ。Q3 指引毛利率 81% 暗示价格加速尚未到顶。（来源：MU 10-Q MD&A + TrendForce 2026-03-27）
  1. HBM 蚕食效应持续加强：SK Hynix 评估 TSMC 3nm 做 HBM4E 逻辑芯片（DigiTimes 03-26），三大厂均在加速 HBM4 量产，HBM 占 DRAM 晶圆比 ~23% 且仍在上升通道。每多 1% = 标准 DRAM 晶圆减少 3-4%。（来源：news-brief 2026-03-26 + 模型定义）
  1. 扩产纪律维持：MU FY2026 净 CapEx >$25B 投向制程转换（1γ EUV）、HBM 封装和 CHIPS Act 新厂（2028-2029 产出），短中期不增加总晶圆投片量。Samsung/SK Hynix 中国工厂加投是传统 DRAM 产能优化（DDR4/DDR5 标品），非 greenfield 新建。（来源：MU 10-Q MD&A + news-brief 2026-03-26）
  1. TurboQuant 不改变供给侧逻辑：Google KV 缓存压缩引发存储股抛售（MU/SNDK/WDC 集体下跌），摩根士丹利认为过度反应。供给紧缺由 HBM 蚕食 + 扩产纪律驱动，推理效率提升不影响供给侧约束。现货价当日小幅回落（DDR5 -0.96%，DDR4 -0.91%）属情绪扰动而非趋势反转。（来源：news-brief 2026-03-26 + TrendForce 2026-03-27）
  1. 置信度上调至 8/10：MU Q2 10-Q 提供了 L1 级硬数据（SEC filing），全面验证了此前基于 L3-L4 级信号（行业估算、新闻报道）建立的供给紧缺判定。DIO 下降 + 产能闲置费 $0 + MD&A 明确供不应求 = 三重交叉确认。
  1. 结论：DRAM 供给紧缺格局不仅维持且在加剧，所有硬数据指标（DIO、产能闲置费、bit supply growth、ASP 加速度）均指向同一方向。维持 🟢，置信度 8/10。

数据源