摘要
维持 🟢 供给紧缺——SK 海力士 $79 亿 ASML EUV 订单 + M15X DRAM 二期提前启动，但产能聚焦 HBM/先进 DRAM 转换而非通用 DRAM 扩产。DFI 警告 H1 内存供应紧张确认终端供给紧缺。Hanwha TCB 设备订单进一步确认 HBM 对 DRAM wafer 的吸附效应。
推理链
- SK 海力士 M15X DRAM 二期 + $79 亿 EUV（DigiTimes 03-24）：M15X 定位先进 DRAM（1b/1c nm）和 HBM 生产。EUV 光刻机是向 1b nm 以下节点迁移的必要设备。产能增量被 HBM 需求大量吸收（HBM 每 bit 消耗 wafer 远高于标准 DRAM），通用 DRAM 供给不会因此宽松。（来源：news-brief/2026-03-24）
- DFI 工业电脑内存供应紧张（news-brief/2026-03-24）：工业/嵌入式终端报告 DRAM 供应紧张。这是内存短缺从数据中心向非 AI 终端扩散的直接证据——当工业客户也拿不到货时，DRAM 供给紧缺程度已深。（来源：news-brief/2026-03-24）
- Hanwha TCB 设备 1000 亿韩元担保（news-brief/2026-03-24）：HBM 封装产能持续扩张，TCB 是 HBM 堆叠关键设备。更多 HBM 产能 = 更多 DRAM wafer 被转用 = 通用 DRAM 供给更紧。（来源：news-brief/2026-03-24）
- 核心指标未变：行业 DRAM DIO 正常范围（MU 108.5 天、行业估算 3-4 周）。bit growth 预测 ~mid-teens%（低于需求 ~20%+），供需缺口维持。三大厂控产+HBM 转换=供给紧缺。（来源：notebook 基线）
- 结论：SK 海力士扩产聚焦 HBM 转换 + 终端供给紧缺扩散 + HBM wafer 吸附效应 = DRAM 供给紧缺格局延续。维持 🟢 7/10。
数据源
- news-brief/2026-03-24（SK 海力士 EUV/M15X、DFI 内存短缺、Hanwha TCB）
- notebook 基线（DRAM DIO、bit growth、供需缺口）