DRAM 产出

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无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢（供给紧缺）——MU Q2 超预期伴随创纪录 CapEx 计划，但新增产能受洁净室周期约束（18-24 个月）。SK Hynix 2030 自动化 fab 属于中长期效率投资。三星存储涨价传导至面板成本验证 DRAM 供给紧缺。高盛 $700B CapEx 上修增加 DRAM 需求但短期供给弹性有限。

推理链

  1. MU 创纪录 CapEx 但供给受限（03-21）：CapEx 增加主要投向 HBM 扩产和先进制程转换（1-beta/1-gamma），非净新增 DRAM 晶圆产出。洁净室扩建周期 18-24 个月，2026 年内 DRAM bit 增长仍受物理约束。（来源：news-brief/2026-03-21）
  1. SK Hynix 2030 自动化 fab（03-21）：自动化提升良率和降低成本，但不直接增加短期晶圆产出。中长期供给效率提升。（来源：news-brief/2026-03-21）
  1. 三星存储涨价→CSOT 转单（03-21）：存储涨价如此强劲以至于影响三星自身面板采购策略。从供给端看，涨价能力 = 供给紧缺持续。（来源：news-brief/2026-03-21）
  1. 核心指标回顾：TrendForce DDR5 现货价 $2.60（微幅回调 -1.67%，不构成趋势反转）。DRAM 行业 DIO ~6-7 周。三巨头 HBM 优先分配晶圆挤压 conventional DRAM 供给。（来源：notebook 基线）
  1. 结论：CapEx 增加但物理约束限制短期产能 + 涨价传导确认 + HBM 优先挤压 conventional = 供给紧缺维持。🟢 7/10。

数据源