工艺演进与良率

笔记当日巡检
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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢——本周期无任何工艺节点跃迁或良率突破，价格端超级周期信号密集验证（长约锁价、模组ASP最高涨5倍、瑞银三十年一遇定调），美伊停火缓解霍尔木兹尾部风险，全部为反向支撑"供给释放天然减速+技术壁垒结构性抬升"核心判断。

推理链

  1. 工艺状态型指标全部无变动（ts summary + notebook）：DRAM 仍 1gamma 量产/1beta 主流（MU 主力，SK Hynix 1c 主供 HBM4，Samsung 1c HBM4 良率 50-60% 未达门槛+罢工拖累）；NAND 仍 218L BiCS9 主流，BiCS10 332L 售罄、Samsung V10 430L 延至 2026-10、YMTC 受限——H2 2026 前双线增量放量风险已消除；HBM 12hi 三家量产、SK Hynix 16hi 良率 50-60%、Samsung 16hi ~10% 仍是关键瓶颈。无任何品类出现"提前量产 + 良率达标"组合，🟡/🔴 触发条件未满足。
  2. bit supply growth 数值未更新（ts summary）：行业 DRAM ~16% YoY、NAND ~16% YoY（TrendForce 2026-04-04 口径），均显著低于 🟡 阈值（DRAM 20-25%、NAND >25%）。无新财报（MU 最新 8K 仍为 2026-03-18 Q2 FY2026），数据源到 SK Hynix/Samsung Q1 2026 财报或 TrendForce 下次更新前不会变化。
  3. NAND 供给缺口扩大信号密集（news 2026-04-08/09）：Silicon Motion 警告 AI 驱动 NAND 短缺 2027 年更严重（DigiTimes 04-09）；Phison 确认企业级 NAND 需求超预期（04-09）；创见董事长确认 2026 全年缺货难缓解；Kioxia 考虑恢复首次分红+签长约。两家上游主控厂共同印证 NAND 供给缺口扩大趋势——与"行业 NAND bit supply growth +15-17% < 需求 +20-22%"的量化判断一致。
  4. 存储厂全面转向长约锁价（news 2026-04-09/10）：Samsung/SK Hynix/Kioxia 转长约（DigiTimes），模组 ASP 最高涨 5 倍，台系模组厂 Q2 合约价 +40%。从工艺视角：厂商以长约锁价而非扩产应对紧缺，再次确认 CapEx 投向工艺升级而非产能增量。瑞银"三十年一遇超级周期"至 2027 末（04-08）。花旗预测 SK Hynix Q1 营业利润环比翻倍（04-09）。价格层面的超级周期特征与工艺指标"非产能扩张"完全一致。
  5. 美伊停火缓解霍尔木兹尾部风险（news 2026-04-08）：两周停火协议达成，油价创六年最大单日跌幅，半导体指数创新高（SOX +6.3%）。对工艺端无直接影响，但日本能源依赖（LNG 储备仅 3 周）的尾部风险暂缓——日本是硅晶圆/光刻胶/涂布设备核心供应地。停火仅两周，到期日（~04-22）需关注续约。
  6. 中国供给端：短期延后、方向不变（news 2026-04-09）：CXMT IPO 推迟缓解 2026-2027 全球 DRAM 供应风险；但 DigiTimes 同期报道"中国存储产能激增：YMTC/CXMT 在 AI 周期中重塑全球供给"——产能扩张方向不变，2027+ 供需宽松风险仍在观察。MATCH Act+设备本土化加速（04-08/09），进一步收窄长鑫/YMTC 先进设备渠道。
  7. 结论：本次巡检无任何工艺指标进入 🟡/🔴 升级条件，所有新增信号均为价格/供给纪律层面的交叉验证。维持 🟢，置信度 8/10（扣 2 分：SK Hynix/Samsung 财报数据缺直连、良率数据无结构化来源）。下一关键验证点为 4 月底三星/SK Hynix Q1 2026 正式财报对 V10 量产计划、HBM4 良率和 1gamma 进度的披露。

数据源