工艺演进与良率

摘要

维持 🟢 8/10——AMAT 推出 2nm 设备兑现先进制程设备节奏、三星 Exynos 2700 验证 2nm SF2P 工艺、UT Austin DRAM PIM 研究显示存内计算距量产仍有工程差距，技术壁垒结构性抬升基线不变。

AMAT 2nm 设备推出：Applied Materials 推出 2nm 及埃米时代芯片工艺设备（news 2026-04-12），前道设备兑现与 TSMC/Samsung 2nm 量产排期匹配——属按路线图推进，非加速信号。
三星 2nm 工艺验证：Exynos 2700 基准测试泄露（news 2026-04-12），三星 2nm SF2P 工艺验证通过高端处理器回归，但这是逻辑工艺而非存储工艺进展。
DRAM PIM 距量产有差距：UT Austin 发表 DRAM-based 存内计算电源网络挑战研究（news 2026-04-12），PIM 在 DRAM 上的量产拦路虎仍在，距离商用仍有工程差距——不构成短期威胁。
日本 Rapidus 推进先进制程：日本追加 $160 亿扶持 Rapidus（news 2026-04-12），试图切入 2nm 以下市场，长期可能改变代工格局但与存储工艺进展关联有限。
DRAM 制程基线不变：1β 量产中，1γ 按路线图。NAND 层数 200+L 主流，400+L 量产中。HBM 堆叠 12hi 量产中。无提前量产或良率停滞报告。
结论：技术壁垒结构性抬升基线不变，新节点按路线图推进，无多品类同时代际切换信号。维持 🟢 8/10。