工艺演进与良率

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无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢——MU 1gamma 量产确认（首个 EUV DRAM 节点正式量产）、MU HBM4 Q2 FY2026 高良率量产启动，均属路线图正常执行；行业 DRAM bit supply growth 维持 ~16% YoY（IDC，远低于 🟡 阈值 20-25%），NAND 双线增量放量条件未满足，Samsung 罢工升级轻微延后供给释放节奏，综合判定供给约束格局未变。

推理链

  1. MU 1gamma 量产确认（2026-03-30 ts 更新）：MU 首个 EUV DRAM 节点由"爬坡"升至"量产中"，2025 年 2 月首发出货，CY2026 H2 将成主力产出节点（bit density +30%，功耗 -20%）。单厂按计划量产，未触发🟡条件（需多厂同时大规模量产 + bit/wafer 跳升超预期）。SK Hynix 和 Samsung 1c 良率约 80%，但无1gamma 量产公告。数据源：notebook ts 2026-03-30。
  1. MU HBM4 量产确认（2026-03-29 新闻）：Q2 FY2026 高良率量产，样品已向多个客户（面向 NVIDIA Vera Rubin 平台）交付，2x 带宽提升。三大厂（MU、SK Hynix、Samsung）均已进入 HBM4 12hi 量产阶段，但 16hi 良率瓶颈（~50-60%）仍制约 H2 2026 供给。HBM4 报价较 HBM3E 溢价 ~30%，供给有序爬坡未触发供给过剩风险。数据源：news-brief/2026-03-29。
  1. 行业级 DRAM bit supply growth 未超阈值：IDC 行业预测 2026 YoY ~16%，远低于🟡阈值（20-25%）。MU 公司级 DRAM bit shipment Q2 FY2026 YoY +mid-40% 系 HBM ramp + 份额增长驱动，非产能扩张，不应代入行业级判定。1Q26 DRAM 合约价 +90-95% QoQ（TrendForce），供需偏紧信号明确。数据源：ts_tool summary；MU Q2 FY2026 财报。
  1. NAND 双线增量放量条件未满足：Samsung 400+层（ISSCC 2025 披露）无 2026 量产时间表；Kioxia BiCS10 332 层提前量产但全年产能已售罄，不构成净增量；YMTC ~300 层受实体清单限制无扩产空间。1Q26 NAND 价格 +55-60% QoQ（TrendForce 上修），ASP YoY +100%+，供给紧张延续。🟡 双线同时放量条件未触发。数据源：notebook；TrendForce 引用。
  1. Samsung 罢工升级为供给约束增添保险（2026-03-29 DigiTimes）：规模扩大三倍，HBM4 良率爬坡和 1c DRAM 产线转换面临延迟风险。间接利好 SK Hynix 和 MU 市场份额稳定，同时延后行业从 HBM3E 向 HBM4 全面切换的时间表。不触发任何告警阈值，但强化供给约束延续判断。数据源：news-brief/2026-03-29。
  1. SK Hynix HBM4E 台积电 3nm 评估（2026-03-26）：HBM 逻辑层制程从存储厂内部能力（7-12nm）提升至代工厂最先进水平，技术壁垒进一步抬高。对中国追赶者差距扩大，短期对供给格局影响中性。数据源：notebook ts 2026-03-26。
  1. 结论：制程迭代均按路线图推进，无超预期提前量产/良率跳升，行业 bit supply growth 维持低位（~16% YoY），NAND 增量放量条件未满足，Samsung 罢工轻微收紧供给，整体供给约束格局完整——维持 🟢。MU 量产先行和三大厂均进入 HBM4 量产为确定性信号，数据频率依赖季报（下一关键节点：Q1 2026 财报 2026-04），置信度提升至 7/10。

数据源