工艺演进与良率

笔记当日巡检
← 03-302026-03-31→ 04-01
无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢——DRAM 微缩遇物理极限、2nm 制程挑战加大进一步强化供给约束，1gamma 量产中/HBM4 启动/16hi 目标 Q3 2026 进度不变，技术升级 = 供给增量有限，置信度 7/10。

推理链

  1. DRAM 微缩遇极限：下一代内存面临延迟，物理微缩空间收窄。1gamma 量产中但更先进节点（如 1delta）困难倍增。（来源：news-brief 2026-03-30）
  1. 2nm 挑战加大：性能/功耗改善但难度和成本剧增。虽然这主要影响逻辑芯片，但跨领域技术人才和设备竞争间接影响存储端研发资源。（来源：news-brief 2026-03-30）
  1. 制程状态不变：DRAM 1gamma 量产中 + 1beta 主流，NAND 218L BiCS9 主流 / BiCS10 332L 量产提前至 2026 / Samsung 400+L 已披露。HBM 12hi 量产 / HBM4 启动 / 16hi 目标 Q3 2026。（来源：ts_tool summary）
  1. 结论：技术约束深化，供给紧缺维持。🟢 7/10。

数据源