工艺演进与良率

无变化 · 🟢 6/10

摘要

维持 🟢——中国 NAURA/AMEC 国产先进封装设备突破(ts 2026-03-26 延续)不影响前沿制程格局,DRAM 1beta 量产中/1gamma 爬坡、NAND 400+L 量产中、HBM4 量产启动/16hi 爬坡;MU R&D $1.25B(+6.75%)持续投入;制程迭代按计划推进但数据频率低(季报驱动),置信度 6/10。

推理链

  1. 中国设备厂封装突破(ts 2026-03-26):NAURA/AMEC 在 SEMICON China 展示 3D 封装国产替代进展。对前沿存储制程(1gamma DRAM、400+L NAND)影响有限——这些制程仍依赖 ASML/AMAT/LRCX 设备。(来源:ts_tool summary)
  1. 制程进展未变:DRAM 1beta 量产中/1gamma 爬坡,NAND 200+L 主流/400+L 量产中,HBM 12hi 量产/HBM4 量产启动/16hi 爬坡中。(来源:ts_tool summary)
  1. MU R&D $1.25B(+6.75%):研发投入持续增加,AI 加速投资+技术领先基调维持。(来源:ts_tool summary)
  1. MU CapEx $6.4B(+18.52%):投入增加主要用于技术迭代而非产能扩张。(来源:ts_tool summary)
  1. 结论:制程迭代按计划推进,中国设备进展不改前沿格局。数据更新频率低(季报),置信度维持 6/10。

数据源