摘要
维持 🟢（供给紧缺）——三星将过半先进代工产能转向内部 HBM/存储生产，间接验证先进制程供给稀缺。MU HBM4 量产中、1-beta DRAM 产线运行正常。铠侠旧制程退出加速向先进层数转移。
推理链
- 三星过半代工产能转向内部（DigiTimes 03-20）：Samsung 将先进制程产能从外部代工转向自身 HBM/存储生产。间接确认先进制程产能极为稀缺——连代工龙头都要优先满足内部需求。对存储供给：HBM 产能可能增加，但 conventional DRAM/NAND 的先进制程扩产可能被挤压。（来源：news-brief/2026-03-20）
- 铠侠 TSOP 停产（华尔街见闻 03-20）：旧制程产品退出，产能向高层数 3D NAND 转移。行业整体在加速先进制程迁移，旧制程产能收缩。（来源：news-brief/2026-03-20）
- MU 制程基线不变：HBM4 量产中（1-beta 工艺），1-gamma DRAM 预计 2027 年量产。MU 制程转换按计划进行。（来源：notebook 基线）
- 台积电订单排至 2027 年：先进制程（含 CoWoS）供给持续紧张。台积电涨价 = 先进制程供不应求。（来源：news-brief/2026-03-20）
- 结论：Samsung 产能内转 + 台积电涨价排期 + 铠侠旧制程退出 = 先进制程供给持续紧缺。维持 🟢 6/10（数据频率低限制置信度）。
数据源
- news-brief/2026-03-20（Samsung 代工产能内转、铠侠 TSOP 停产、台积电涨价/排期）
- notebook 基线（MU HBM4/1-beta/1-gamma 进度）