工艺演进与良率

笔记当日巡检
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无变化 · 🟢 6/10

摘要

维持 🟢（供给紧缺）——MU 确认先进节点 bit/wafer 增长放缓，制程迁移不再像过去那样释放大量供给。三星 HBM 良率问题持续（转向 AMD 合作佐证）。无新制程突破事件。

推理链

  1. MU：先进节点 bit/wafer 增长放缓：DRAM 1-beta/1-gamma 节点迁移带来的每片晶圆 bit 增长率下降。这意味着制程升级不再像以往（如 25nm→20nm）那样显著释放供给。制程瓶颈成为供给约束的结构性因素。（来源：MU Q2 FY2026 earnings call）
  1. 三星 HBM 良率问题佐证：AMD-Samsung HBM4 合作的背景是 Samsung 在 NVIDIA HBM 供应链中因良率问题份额受限。制程/封装良率是竞争力的核心差异化因素。（来源：news-brief/2026-03-19）
  1. 三星 $73B 投资含先进制程：投资涵盖制程升级（EUV 扩展、GAA 节点），但制程研发到量产需 18-24 个月。2026 年实际产出不受影响。（来源：华尔街见闻 2026-03-19）
  1. 结论：制程迁移释放的供给增量持续缩小，成为供给紧缺的结构性支撑。Samsung 良率差距短期难以弥合。维持 🟢 6/10（数据频率低限制置信度）。

数据源