工艺演进与良率

笔记当日巡检
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无变化 · 🟢 6/10

摘要

维持 🟢（供给紧缺）——imec 获得 ASML 高数值孔径 EUV 光刻机推进 2nm 以下制程研发，MU 1-gamma DRAM（首款 EUV DRAM）量产进展持续。先进制程壁垒未降低。

推理链

  1. ASML High-NA EUV 部署至 imec：下一代光刻技术推进 2nm 以下制程。High-NA EUV 设备成本极高且供应稀缺，工艺复杂度持续上升 = 先进制程壁垒不降反升。（来源：news-brief/2026-03-18 Yahoo Finance/DigiTimes）
  1. MU 1-gamma DRAM 量产（基线）：MU 是业界首个在 DRAM 中引入 EUV 光刻的厂商，1-gamma 节点量产进度领先。先进节点爬坡曲线陡峭，从量产到满产需 6-12 个月。（来源：笔记基线）
  1. TSMC 72% 市占率：先进制程高度集中于 TSMC，工艺壁垒使后进者追赶困难。（来源：news-brief/2026-03-18 Yahoo Finance）
  1. 结论：先进制程壁垒持续上升（EUV → High-NA EUV），工艺约束限制供给弹性。维持 🟢 6/10。

数据源