工艺演进与良率

笔记当日巡检
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无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢（供给紧缺）——HBM4 三家竞争展示制程差异化（MU 量产、Samsung HBM4E、SK Hynix 液冷），MU PCIe Gen6 SSD 量产。制程升级消耗更多晶圆，维持供给紧缺。

推理链

  1. HBM4 制程差异化：三家在 GTC 展示不同制程路线——堆叠层数、散热方案、容量密度各有取舍。制程竞争推动技术升级但不增加总晶圆供给。（来源：news-brief/2026-03-17 MU/NVDA）
  1. MU PCIe Gen6 SSD 量产：新一代接口标准（PCIe Gen6）需要更先进的控制器制程。AI SSD 的带宽要求推动 NAND 控制器从 7nm→5nm 进化。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. SK 晶圆短缺：先进制程升级通常意味着每单位存储消耗更多晶圆面积（更高堆叠 = 更多良率损失）。晶圆短缺下，制程升级进一步收紧供给。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. 结论：制程升级消耗产能、晶圆短缺限制扩产。维持 🟢 7/10。

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