NAND 产出

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无变化 · 🟡 7/10

摘要

维持 🟡（供需极度紧缺 + H2 双线放量风险基本锁定）：需求面"RAMageddon"消费端传导验证供需深度超预期，MU DIO 连续三季度下降确认库存出清持续；但 Samsung V10（2026-10 目标）与 Kioxia BiCS10（2026 Kitakami Fab2）双线放量已由"概率"升至"基本确认"，H2 2026 供给压力时间线收窄为本轮核心风险。

推理链

  1. 需求强度持续超预期：韩国 3 月半导体出口 +151.4% YoY 首破 $300 亿（2026-04-02）；MU Q3 FY2026 营收超预期（指引 $32.75-34.25B，Non-GAAP 毛利率 81%，均创历史新高）；Kioxia 2026 全年 NAND 产能 fully booked。多重数据交叉验证需求持续旺盛。数据源：news-brief/2026-04-02。
  1. "RAMageddon"消费端传导确认供需深度：小米 REDMI 同版本内存价 YoY 涨近 4 倍、Lenovo Legion Go 2 涨价 $650（2026-04-03）。B2B 紧缺已穿透至终端定价，供需失衡程度超出此前 B2B 范畴预期。数据源：news-brief/2026-04-03。
  1. MU DIO 连续三季度下降，库存出清加速：MU 整体 DIO 135.4→123.1→121.9 天（FY2025→Q1→Q2 FY2026），成品库存从 $1,142M 降至 $812M；SNDK 产能低利用费用 $0 确认满产。当前无库存堆积信号。数据源：MU 10-Q Q2 FY2026（2026-03-18），SNDK Q2 FY2026 财报。
  1. Kioxia 传统产线结构性退出加剧 H1 供给缺口：Kioxia 发 EOL 通知，2026 年全面停产 SLC/MLC 传统 NAND 产线，产能全面转向 3D TLC/QLC（2026-04-02）。传统产能退出与 BiCS10 新制程爬坡之间存在切换窗口，H1 可能出现阶段性供给缺口。数据源：news-brief/2026-04-02。
  1. H2 2026 双线放量由"概率"升至"基本确认"：Samsung V10 430 层设备 H1 2026 进场、全面量产目标 2026-10 已明确（2026-04-01）；Kioxia BiCS10 332 层由 2027 提前至 2026 Kitakami Fab2 量产（2026-04-01，南亚科技配售资金已到位）。YMTC 受实体清单约束，Phase III 2027+，实际仅现有产线边际扩产。铠侠表态 2027 新产能不破市场平衡（2026-03-30）。数据源：news-brief/2026-04-01，2026-03-30，ts_tool summary。
  1. 现货价下跌 35% 是清库信号而非供给拐点：Notebook 市场现货价下跌 35%，但 NAND 合约价持续强劲（128Gb QoQ +33.91%，MLC 64Gb 现货 $12.625/chip 稳定）、MU DIO 仍下降。判断为旧制程/投机库存在高价位出清（Kioxia SLC/MLC 退出触发），非供给实质松动信号。将持续监测现货价与 DIO 是否同步走高。数据源：ts_tool summary，news-brief/2026-04-02。
  1. Samsung 罢工扰动有限但需监控：2026 年罢工规模扩大三倍，当前涉及 HBM/DRAM 产线（2026-03-29），无 NAND 产线停产报道。若蔓延至平泽/华城 NAND 产线将延迟 V10 量产时间表，为 H2 放量风险的对冲因素，尚未构成降级依据。数据源：news-brief/2026-03-29。
  1. 结论：需求面全面验证（财报超预期、出口数据、消费端传导），H1 供给持续极度偏紧；H2 Samsung+Kioxia 双线放量时间表趋于明确，供给压力窗口收窄至 Q4 2026。维持 🟡：当前紧缺格局稳固，H2 放量为主要风险——未触发升级为 🔴 的三线同时放量确认，亦未触发降级为 🟢 的放量推迟至 2027+ 条件。

数据源