NAND 产出

笔记当日巡检
← 04-012026-04-02→ 04-04
无变化 · 🟡 7/10

摘要

维持🟡；需求面极强持续超预期（MU Q3超预期、韩国出口+151%、NAND合约价Q1 +33.91% QoQ），同时供给侧风险显著升级——Samsung V10 430层全面量产目标2026-10已确认、Kioxia BiCS10量产提前至2026 Kitakami Fab2，双线H2 2026放量从"概率"转为"基本锁定"，但需求强劲可能部分吸收供给增量，暂不升级至🔴。

推理链

  1. 需求面极强，超级周期叙事持续验证。 MU Q2 FY2026 NAND收入$4,997M（QoQ +82%，YoY +169%），ASP YoY超100%，管理层明确"AI驱动存储增长超越行业供给"；Q3指引营收$32.75-34.25B、毛利率81%再创历史新高。韩国3月半导体出口+151.4% YoY首破$300亿（2026-04-02），从出口侧独立验证需求强度。来源：MU 10-Q 2026-03-18；韩国贸易统计2026-04-02。
  1. MU库存持续出清，供需缺口未出现缓和迹象。 MU整体DIO连续3Q下降：FY2025 135.4天→Q1 123.1天→Q2 121.9天（-0.97%）；成品库存从$1,142M大幅降至$812M。SNDK产能低利用费用$0（满产确认），毛利率50.9%（+21ppt YoY）。供需仍处于极度紧缺区间。来源：MU 10-Q；SNDK Q2 FY2026财报2026-01-30。
  1. NAND合约价Q1 2026大幅上涨，印证现货市场短缺。 TrendForce最新数据（2026-03-23）：128Gb MLC合约价Q1 +33.91% QoQ至$12.665/chip，64Gb +21.22% QoQ至$8.513/chip；现货MLC 64Gb +9.78%至$12.625/chip（2026-03-31稳定）。NAND创2016年以来价格新高。来源：TrendForce 2026-03-23。
  1. 供给侧最重要风险升级：Kioxia BiCS10量产提前至2026。 原时间线为2027，现已确认提前至2026年Kitakami Fab2量产，南亚科技战略配售（2026-03-26）引入铠侠/SanDisk/Solidigm/Cisco共$1.2B资金到位，资金+时间双重锁定。结合Samsung V10 430层设备H1 2026进场、全面量产目标2026-10已确认，双线H2 2026同期放量从"概率"转为"基本锁定"。来源：南亚科技公告2026-03-26；news-brief 2026-04-01。
  1. YMTC扩产仍属第三线，约束有效。 实体清单限制下，YMTC 2026年为现有产线边际扩产，Phase III武汉新厂2027+量产。2026年底15%市占率目标从当前~5%跳升依赖大规模新产能，而该产能不在2026年投产。实际供给冲击由Samsung+Kioxia双线主导。来源：news-brief多期；集微网。
  1. 供给纪律信号混合，但风险偏向供给放量。 铠侠表态2027新产能"不破坏市场平衡"（2026-03-30），属供给纪律正面信号；但Kioxia BiCS10已提前至2026，与前述表态存在矛盾（量产提前不等于"破坏平衡"，关键在爬坡速度）。Samsung罢工（规模扩大三倍，2026-03-29）涉及HBM/DRAM，若蔓延至NAND平泽/华城产线将推迟V10时间表——目前无NAND停产报道，属尾部风险而非基准情境。来源：news-brief 2026-03-29/31。
  1. 维持🟡，不升级🔴的核心逻辑。 双线放量已基本锁定，但：①需求面超预期强劲（MU Q3指引再创新高）可能部分吸收供给增量；②Samsung V10执行风险（罢工尾部风险）尚存；③三线同时放量（升级🔴触发条件之一）中YMTC贡献仍受实体清单有效约束。升级为🔴需满足三线确认同期放量或MU/SNDK DIO连续2Q上升，当前均未触发。
  1. 结论。 NAND超级周期需求面极度强劲、无出清迹象，供给侧核心风险升级至"双线H2 2026基本锁定"，维持🟡；置信度7/10（双线时间表趋于明确为正，Samsung罢工执行不确定性为负，相互抵消）。下一观测点：SNDK Q3 FY2026财报（2026-04）验证指引+DIO趋势，以及Samsung V10罢工是否蔓延至NAND产线。

数据源