NAND 产出

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无变化 · 🟡 7/10

摘要

维持 🟡——Samsung 2026 罢工扩大三倍增加 400+层量产额外扰动，三线放量概率整体偏低；Micron 日本封测扩张提升先进存储封装能力，但短期对 NAND 供给格局影响有限；MU Q2 FY2026 硬数据（NAND 收入 +82% QoQ、DIO 连降至 121.9 天、ASP YoY +100%）持续强化供需紧缺信号，H2 2026 供给潮风险未消除。

推理链

  1. 供需紧缺硬数据持续强化：MU Q2 FY2026 NAND 收入 $4,997M（+82% QoQ / +169% YoY），ASP YoY +略超 100%，DIO 连续 3 季度下降（135.4→123.1→121.9 天），成品库存从 $1,142M 大幅降至 $812M。SNDK 产能低利用费用为 $0，确认满产。双家管理层均表态需求超过供应将持续至 CY2026 及以后。数据来源：MU 10-Q 2026-03-18，SNDK 财报 2026-01-29。
  1. Samsung 罢工升级是新增供给推迟因素：2026-03-29 报道 Samsung 2026 年罢工规模扩大三倍，主要涉及 HBM/DRAM 产线。虽然当前无直接 NAND 产线停产报道，但若罢工蔓延至平泽/华城 NAND 产线，Samsung 400+层量产爬坡节奏将面临额外延迟，间接利好 SK Hynix 和 Micron 份额。三线放量中 Samsung 一线概率从"中偏低"进一步受到压制。数据来源：news-brief 2026-03-29。
  1. Micron 日本封测扩张对 NAND 影响有限但正面：MU 洽谈收购 Japan Display LCD 工厂用于先进芯片封测，主要服务 HBM/先进存储，间接提升 NAND SSD/模块后道封装能力，并降低日本封测地缘集中风险。对 NAND 供给侧不构成实质性增量，属于能力建设而非产能扩张。数据来源：news-brief 2026-03-29。
  1. 三线放量整体概率评估：低：Samsung 400+层——谨慎态度叠加罢工双重拖累，放量时间进一步后移；Kioxia BiCS10——南亚科技配售注入新资金（$1.2B Kioxia 合作协议延至 2034），技术就绪但量产时间表未更新，中等概率；YMTC——实体清单有效约束，可见度极低。三线同时放量概率低，双线（Kioxia + Samsung 部分）仍是基准场景。数据来源：news-brief 2026-03-26 ~ 03-29，ts_tool 状态型指标。
  1. NAND 价格信号维持高位：NAND 合约价 MLC 128Gb $9.458/chip、MLC 64Gb $7.023/chip（2026-03-16 数据），现货价 MLC 64Gb $11.5/chip。Q1 2026 合约价涨幅突破 70% QoQ，远超 TrendForce +55-60% 预测，Kioxia 全年 NAND 产能售罄。价格拐点尚未出现。数据来源：TrendForce，DigiTimes 2026-02-23。
  1. 结论：供需紧缺格局延续，MU Q2 FY2026 硬数据持续超预期；Samsung 罢工为新增供给推迟信号，与南亚科技配售加速 Kioxia 一定程度对冲；H2 2026 双线放量场景仍是主要风险，但 Samsung 罢工升级使时间节点右移。维持 🟡（中性偏谨慎），置信度 7/10（受三线关键变量缺乏硬数据制约）。

数据源