NAND 产出

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无变化 · 🟡 6/10

摘要

维持 🟡（H2 2026 供给潮风险）——MU NAND bit 增长 ~20%（供给受限但较 DRAM 宽裕）。MU 新加坡新 NAND fab 破土（H2 2028 首批晶圆）+ 部分厂商将 DRAM 洁净室转为 NAND = NAND 供给弹性高于 DRAM。Samsung 400+/Kioxia BiCS10/YMTC 三线放量预期不变。

推理链

  1. MU：NAND bit shipment 增长 ~20%：行业 NAND 供给增长约 20%，较 DRAM（low 20s%）略低但供给约束不如 DRAM 紧。部分厂商将 DRAM 洁净室重新分配给 NAND 生产，NAND 供给弹性相对更高。（来源：MU Q2 FY2026 earnings call）
  1. MU 新加坡新 NAND fab 破土：预计 H2 2028 首批晶圆产出。增加长期 NAND 产能但不影响 2026 年供给。同时 MU 将 R&D 洁净室与制造 fab 合并，优化现有空间利用。（来源：MU Q2 earnings call）
  1. H2 2026 供给潮预期不变：Samsung 400+ 层、Kioxia BiCS10、YMTC 三线同时放量计划持续推进。三星 $73B 投资中相当部分涉及 NAND 产能。这是 🟡 判定的核心原因——H2 供给释放可能压制 ASP。（来源：背景分析 + 三星投资新闻）
  1. NVIDIA NVMe SSD 标准化拉动需求：NVIDIA 将 NVMe SSD 纳入 AI 标准配置，需求端强化。但供给端（H2 放量）可能对冲需求增长，NAND ASP 走势不确定性高于 DRAM。（来源：news-brief/2026-03-19）
  1. MU NAND 分部 $5B（+169% YoY）：NAND 营收创纪录但增速（169%）低于 DRAM（207%），反映 NAND 定价权弱于 DRAM。（来源：MU Q2 FY2026 earnings）
  1. 结论：NAND 供给 2026 H1 仍紧但 H2 供给潮风险持续。需求强劲（AI SSD）但供给弹性高于 DRAM。维持 🟡 6/10。

数据源