NAND 产出

笔记当日巡检
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无变化 · 🟡 6/10

摘要

维持 🟡 中性偏看跌，当日新闻以 HBM/DRAM 为主（MU HBM4 量产、DRAM 价格暴涨 180%），NAND 三线放量时间表无新增信号，供需紧缺格局延续但 H2 2026 供给潮风险未解除。

推理链

  1. 当日新闻扫描覆盖 MU、SNDK、Samsung、SK Hynix，共获取 8 条相关新闻。主要集中在 HBM4 量产（MU 为 NVIDIA Vera Rubin 量产 HBM4 36GB 12H）、DRAM 价格暴涨 180%、存储全年涨价共识。（来源：news-brief/2026-03-16）
  1. MU 完成收购台湾力晶 PSMC P5 厂区，扩充先进制程产能——该产能主要服务 HBM4/DRAM，对 NAND 产线无直接影响。（来源：news-brief/2026-03-16 DigiTimes）
  1. "存储芯片全年涨价无悬念"的市场共识与上次报告判断一致——NAND 需求超过供给的格局延续。但涨价共识本身不改变 H2 2026 三线放量风险的评估。（来源：news-brief/2026-03-16 华尔街见闻）
  1. Samsung 400+层量产进度、Kioxia BiCS10 332 层时间表、YMTC 扩产动态——三项核心监测指标均无新增信号。三线放量风险维持模糊状态。（来源：news-brief/2026-03-16 全量扫描无相关条目）
  1. 注意：MU Q2 FY2026 财报将于 3/18 发布（已有指引：营收 $18.3-19.1B，Non-GAAP 毛利率 67-69%），届时可获取最新 NAND 收入、DIO 和 bit shipment 数据，为下次评估提供关键输入。（来源：MU FY2026-Q1-8K-EX991.json 指引）
  1. 结论：维持 🟡 状态和 6/10 置信度。当日信号均为 HBM/DRAM 维度，不改变 NAND 供给端的核心判定。等待 3/18 MU 财报更新 NAND 具体数据。

数据源