HBM 产出

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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢：HBM 三家全部售罄至 2026 年底（含 HBM4），Samsung Q1 2026 运营利润超预期 +45%、MU 已超越 Samsung 跻身全球 HBM #2、SK Hynix 库存降至 ~2 周，三重信号同步共振，超级周期未现拐点。

推理链

  1. 售罄状态核心判定维持：三家（SK Hynix / Samsung / MU）HBM 产能 2026 年全部售罄至年底（含 HBM4），无任何厂商报告未售出库存。MU FQ3 指引收入中值 $33.5B / GM 81%，环比 +40%，上调幅度验证需求无缺口（来源：MU FY2026-Q2 财报）。
  1. Samsung Q1 2026 业绩超预期验证量价齐升：营收 133 万亿韩元，运营利润 57.2 万亿 vs 预期 39.3 万亿（超预期 +45%）。即使工会罢工持续冲击，DRAM / HBM 量价齐升仍驱动超预期业绩，确认存储超级周期跨厂商成立（来源：Samsung Q1 2026 业绩闪报 2026-04-07）。
  1. 份额格局重组：MU 超越 Samsung 跻身 #2：Counterpoint 最新数据（2026-04-07）显示 SK Hynix ~62%（vs Q3 2025 ~53%，进一步扩大），MU 已超越 Samsung 位居 #2，Samsung 落至 #3。MU Q3 2025 低点 ~11% 被确认为 HBM4 爬坡早期暂时坑，2026 全年 ~20% 签约锁定已兑现（来源：Counterpoint/Astute 2026-04-07）。
  1. SK Hynix 供给极度紧张：HBM 库存从 ~4 周降至 ~2 周，M15X fab 2026-02 商业量产 HBM4（初始 ~1 万片/月），目标年底扩至 25 万片/月。VR200 旗舰约 ~70% 份额锁定，供需最紧端由 SK Hynix 主导（来源：Counterpoint/Astute 2026-04-01/04-07）。
  1. HBM3E 涨价 ~20% 锁定 2026 + HBM4 认证 Q2 完成：Samsung / SK Hynix 对 2026 年 HBM3E 实施 ~20% 涨价；HBM4 全球 NVIDIA 认证预期 Q2 2026 完成，Samsung HBM4 良率 ~60%（稳定，目标年底 85%）（来源：TrendForce 2026-04-01 / 04-07）。
  1. 跨分支效应验证：标准 DRAM 供给结构性收紧：DRAM 合约价持续上涨（DDR4 16Gb +13.46% QoQ，TrendForce 04-03）；Nanya 3 月营收 YoY +560%（DigiTimes 04-04）验证超级周期传导全行业；"RAMageddon"消费端（小米手机内存 YoY 近 4 倍、Lenovo Legion Go 2 涨价 $650）确认 DRAM 供给紧张无法被下游吸收。
  1. AI 需求端无放缓：AI 服务器内存 BOM 占比从传统 8% 升至 30%（华尔街见闻 04-04）；超大规模云厂 2026 Capex 共识 $6,110 亿（Yahoo Finance 04-04）；AWS 未来 12 个月部署超 100 万颗 NVIDIA GPU；需求端对供给持续形成强拉力。
  1. TurboQuant 噪音已消化：韩国存储业界 04-03 确认 AI 内存需求前景稳固，HBM GPU 物理绑定不受推理算法效率影响；04-04 后讨论转向技术层面，市场情绪恢复（来源：DigiTimes 04-03/04-04）。
  1. 封装瓶颈加剧：Semco 上调 ABF 基板价格（DigiTimes 04-04），S⑥ 封装约束持续强化；Samsung 产能扩张目标 17→25 万片/月（+50%）但执行力受工会罢工（规模扩大三倍）拖累，中期不确定性上升。
  1. 结论：供给三重约束（S① 扩产纪律维持、S③ 工艺壁垒高、S⑥ 封装瓶颈加剧）均未松动；需求端 AI Capex 无减速；售罄状态 + 价格上涨 + 三厂均锁满 2026 产能 = 🟢 供给紧缺周期持续，无拐点信号。中期 watch：Samsung 2028 供需逆转（IBS + Samsung 二源共振），HBM4 16-Hi Q4 2026 交付不确定性（Samsung 良率 ~10% 极早期）。

数据源