摘要
维持 🟢(供给紧缺/全线售罄)——三家 HBM 全部售罄至 2026 年底(含 HBM4),SK Hynix 库存降至 ~2 周(更紧),"RAMageddon"消费端传导多源验证供给紧缺格局,TurboQuant 对 HBM 供给影响韩国业界二次确认有限。
推理链
- 全线售罄状态维持:三家 HBM 产能售罄至 2026 年底(含 HBM4),SK Hynix 库存从 ~4 周进一步降至 ~2 周(Counterpoint,2026-04-01),供给紧缺较上期更甚。MU 2026 全年 HBM 产能已签约锁定 ~20%,三家中无任何一家报告未售出库存。
- "RAMageddon"消费端传导:小米 REDMI 手机同版本内存价格同比涨近4倍(华尔街见闻 04-03)、Lenovo Legion Go 2 因存储涨价突然上调650美元(The Verge 04-03)。消费品牌被动传导存储涨价,验证 DRAM/NAND 供给偏紧已无法被下游吸收;间接支持 HBM 晶圆蚕食效应持续。
- TurboQuant 噪音评估(韩国业界二次确认):Google TurboQuant KV 缓存压缩算法对 HBM 供给无直接影响——GPU 绑定 HBM 配置不变。DigiTimes 04-03 报道韩国存储业界确认 AI 内存需求前景稳固,训练端不受影响,推理规模扩张抵消单位效率改善,HBM 瓶颈仍在。市场恐慌不改变供给端判定,置信度维持。
- Samsung 工会罢工持续施压:罢工规模已扩大三倍(DigiTimes 03-29),04-03 无新进展报告,HBM4 量产爬坡仍面临执行力不确定性。Samsung Q3 2025 份额 ~35%(Counterpoint,Q2 17%→Q3 +18ppt 大幅追赶),VR200 旗舰 ~30% 协议份额能否兑现仍需观察 Q2 2026 认证完成情况。
- HBM4 16-Hi 良率竞赛:NVIDIA 要求 Q4 2026 交付 16-Hi HBM。Samsung 良率 ~10%(极早期),MU 48GB 16-Hi 样品已交付客户,SK Hynix 进度未公开。16-Hi 爬坡曲线陡峭,延迟风险高——结果是短期供给更紧而非更松。
- DRAM 量价齐升验证:MU FY2026-Q2 DRAM ASP YoY +mid-110%、bit +mid-40%;DDR5 SO-DIMM 合约价 QoQ +90%、DDR4 +84%(TrendForce 03-27);韩国3月半导体出口+151.4%(首破$300亿)。与售罄状态完全一致,无任何放松信号。
- 结论:三重供给约束(CapEx 纪律、设备瓶颈、工艺壁垒)均未松动。HBM 紧缺信号在 04-03 周期多源共振进一步强化,维持 🟢,置信度 8/10。
数据源
- news-brief/2026-04-03(华尔街见闻:小米/Lenovo 存储涨价;DigiTimes:韩国业界确认 AI 内存需求稳固)
- news-brief/2026-04-01(华尔街见闻:韩国3月半导体出口+151.4%;Counterpoint:SK Hynix 库存 ~2 周)
- news-brief/2026-03-29(DigiTimes:Samsung 罢工规模扩大三倍)
- TrendForce(DRAM 合约价 QoQ 涨幅,2026-03-27)
- Counterpoint Research(Q3 2025 HBM 份额:SK Hynix ~53%,Samsung ~35%,MU ~11%;2026-04-01)
- MU FY2026-Q2 10-Q / 财报电话会(ASP YoY +mid-110%,bit +mid-40%,CMBU 收入 $7.75B YoY +163%)
- GlobeNewsWire GTC 2026(MU HBM4 36GB 12H 量产,48GB 16H 样品交付,2026-03-16)