HBM 产出

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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢 供给紧缺（全线售罄）——Hanwha 向 SK 海力士供应 TCB 热压键合设备（1000 亿韩元担保），HBM 封装产能扩张实质推进。SK 海力士 $79 亿 ASML EUV + M15X 二期，HBM DRAM die 供给同步扩张。GIST 为三星/台积电提供 wafer thinning 技术服务，HBM 堆叠技术持续演进。

推理链

  1. Hanwha TCB 设备供应 SK 海力士（news-brief/2026-03-24）：TCB（热压键合）是 HBM 堆叠封装核心工艺，1000 亿韩元级担保确认 SK 海力士 HBM 封装产能的大规模扩张投入。TCB 设备交付到产能释放需 6-12 个月，短期不缓解当前全线售罄状态。（来源：news-brief/2026-03-24）
  1. SK 海力士 $79 亿 ASML EUV + M15X 二期（DigiTimes 03-24）：EUV 用于 HBM DRAM die 的先进制程生产（1b nm 以下），M15X 二期定位 HBM 和先进 DRAM。HBM 供给链包括 DRAM die + 封装两个环节，SK 海力士同时投资两端。产能释放在 2027 H2+。（来源：news-brief/2026-03-24）
  1. GIST wafer thinning 技术（news-brief/2026-03-24）：韩国 GIST 为三星和台积电提供 wafer wobbling（晶圆减薄）技术服务。wafer thinning 是 HBM 高堆叠（12-16Hi）的关键工艺——die 需减薄到 30-40um 才能堆叠。技术进步利好更高层数 HBM，但短期产能瓶颈仍在封装端。（来源：news-brief/2026-03-24）
  1. 核心指标未变：HBM 全线售罄状态维持。MU HBM 产能预售至 2026 年底。三家寡头份额：SK Hynix ~50%/Samsung ~30%/MU ~20%。HBM4 量产在即但初期良率低。（来源：notebook 基线）
  1. 结论：TCB 设备扩产 + EUV/M15X 投资 + wafer thinning 技术进步 = HBM 供给链全面投入扩张，但产能释放延迟至 2027+，短中期全线售罄格局维持。维持 🟢 8/10。

数据源