DRAM 产出

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无变化 · 🟢 9/10

摘要

维持 🟢 9/10——MU Q2 FY2026 财报全面创历史新高（DRAM收入+207% YoY，GM 74.42%，DIO降至121.9天），MD&A明确"供给分配决策"确认供不应求进入管控阶段；TrendForce Q2合约价预测+58-63% QoQ，HBM蚕食晶圆持续加速（全球均值~20%，SK/Samsung先进晶圆已达40%），DRAM供给紧缺格局至少持续至2027H1。

推理链

  1. MU Q2 FY2026 大幅超预期，引爆存储超级周期叙事：DRAM收入$18,768M（YoY +207%，QoQ +74%），GAAP毛利率74.42%（大幅超指引66-68%），Q3指引营收$32.75-34.25B、毛利率81%，再创新高。Q2超预期引发存储股集体大涨（2026-04-01市场反应）。（来源：MU 10-Q 2026-03-19，华尔街见闻 2026-04-01）
  1. MU MD&A明确"supply allocation decisions"——供不应求升级为实际分配管控：管理层措辞从"需求强劲"升级为"AI驱动需求超越行业供给，已做出供给分配决策"，这是供给紧缺从价格信号升级为产能管控的直接确认。（来源：MU 10-Q MD&A 2026-03-19）
  1. DIO连续三期下降，产能闲置费维持零，满产状态持续：DIO 135.4→123.1→121.9天，成品库存占比从13.9%降至9.8%，产能闲置费$0连续多Q为零。S⑤产能利用率判定标准满足🟢（DIO持续下降+产能闲置费归零）。（来源：MU 10-Q 2026-03-19）
  1. HBM蚕食晶圆加速：全球均值~20%，SK/Samsung先进晶圆已达40%：TrendForce 2026-04-02更新，全球DRAM晶圆HBM占比约20%（三大厂均值），SK Hynix/Samsung先进晶圆已将40%转向HBM生产。每多1%HBM占比=标准DRAM晶圆减少3-4%，S④晶圆分配判定为🟢（HBM占比持续上升+DRAM晶圆总量不增）。MU HBM4正式量产（2026-03-29），三大厂HBM4量产竞争进入白热化。（来源：TrendForce 2026-04-02，news.json 2026-03-29）
  1. DRAM合约价Q2预测+58-63% QoQ，从历史峰值继续上涨：Q1实际合约价+90-95% QoQ（历史最高）；Q2预测+58-63%是从更高基数继续涨，而非松动。DRAM ASP YoY从+40%（FY2025）→+mid-30%（Q1）→+mid-110%（Q2），加速度持续扩大。韩国双雄拒绝LTA坚持季度合同，价格阶梯式上涨格局延续至2027。（来源：TrendForce 2026-04-02）
  1. 扩产纪律完好：CapEx投向结构性升级而非greenfield新产能：MU FY2026净CapEx>$25B，但投向1γ EUV制程转换、HBM封装线和CHIPS Act新厂（2028-2029产出）；Samsung/SK Hynix中国加投为传统产能优化，非greenfield扩产。S①判定标准🟢（CapEx持平/微增+无greenfield公告）。三重约束（扩产纪律+设备瓶颈+工艺壁垒）同时维持，失效条件未触发。（来源：MU 10-Q 2026-03-19，DigiTimes 2026-03-26）
  1. 中国存储厂锁定2年晶圆长约，进一步收紧全球供给前景：中国存储企业签订2年晶圆供应长约（2026-04-01），锁定原材料供给的同时进一步压缩全球DRAM晶圆可用量，是S⑧并行约束收紧的间接信号。（来源：DigiTimes 2026-04-01）
  1. 尾部风险监控：Samsung 2026年罢工规模扩大3倍（vs 2024），短期为供给约束（加强🟢），但实际产出影响待Q1 2026财报验证。现货DDR5 $37.067（-0.96%）、DDR4 $74.00（-0.31%）小幅回落属正常波动，不改合约价涨势。MU Stacked GDDR开发属于技术路径多元化，非产能扩张，不影响供给判断。（来源：DigiTimes 2026-03-29，TrendForce 2026-04-01）
  1. 结论：所有关键判定环节（S①扩产纪律🟢、S④晶圆分配🟢、S⑤产能利用率🟢）均维持绿灯；失效条件（三大厂同时宣布greenfield、bit supply growth>25% YoY连续2Q、三品类DIO同时回升）无一触发。DRAM bit supply growth 13% YoY远低于20%警戒线。供给紧缺格局维持🟢，置信度9/10。

数据源