DRAM 产出

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无变化 · 🟢 9/10

摘要

维持 🟢，MU Q2 FY2026 财报全面创历史新高（DRAM 收入 +207% YoY，毛利率 74.42%，Q3 指引 GM 81%），HBM4 正式量产、Samsung 罢工规模扩大三倍强化供给约束，DRAM 供给紧缺格局至少持续至 2027H1。

推理链

  1. MU Q2 FY2026 确认超级周期：DRAM 收入 $18,768M（YoY +207%，QoQ +74%），大幅超 Q1 指引，毛利率 74.42% 超指引上限 8ppt。MD&A 明确"supply allocation decisions"，供不应求从价格信号升级为实际分配管控。数据源：MU 10-Q 2026-03-19。
  1. 库存消化持续加速：DIO 连续三期下降（135.4→123.1→121.9 天），成品库存占比从 13.9% 降至 9.8%，产能闲置费连续多季为零。供给侧无库存缓冲，紧缺更难反转。数据源：MU 10-Q 2026-03-19。
  1. HBM4 正式量产，蚕食效应加速：MU HBM4 2026-03-29 进入量产（面向 NVIDIA 下一代 GPU 平台），SK Hynix 评估 TSMC 3nm 做 HBM4E。HBM 占晶圆比 ~23% 且上升中，每增加 1% = 标准 DRAM 晶圆减少 3-4%。三大厂 2026 年 HBM 产能 100% 售罄已多源确认。数据源：news.json 2026-03-29、MU 10-Q。
  1. Samsung 罢工扩大三倍强化供给约束：2026 年 Samsung 罢工规模较 2024 年扩大 3 倍，可能影响 HBM4/DRAM 产能爬坡节奏，短期为额外供给约束信号，进一步强化 🟢 判定。数据源：DigiTimes 2026-03-29。
  1. 价格处于加速上涨轨道：DDR4 合约价 QoQ +23.81%（Q1 2026），DRAM ASP YoY 从 +40%（FY2025）→ +mid-30%（Q1）→ +mid-110%（Q2），加速度持续扩大。Q3 指引毛利率 81% 暗示 Q3 ASP 仍在加速。现货价小幅回落（DDR5 -0.96%，DDR4 -0.91%）系 TurboQuant 恐慌性抛售，不改变合约价趋势。数据源：TrendForce 2026-03-27，MU Q3 指引。
  1. 扩产纪律完好，新产能 2028 年前无实质影响：MU FY2026 净 CapEx >$25B 投向制程转换（1γ EUV）与 CHIPS Act 新厂，新厂产出在 2028-2029 年。Samsung/SK Hynix 中国加投属传统 DRAM 产能优化而非 greenfield。长鑫上海线预计 2027+ 且受 BIS 限制。数据源：MU 10-Q、DigiTimes 2026-03-26。
  1. TurboQuant 不改变供给侧约束：Google KV 缓存压缩算法触发市场抛售，但摩根士丹利认为过度反应——Jevons 悖论暗示效率提升将刺激更大规模部署；且供给紧缺由 HBM 蚕食 + 扩产纪律驱动，与需求效率无关。数据源：news.json 2026-03-29。
  1. 结论：DRAM 供给紧缺结构性因素（HBM 蚕食加速 + 扩产纪律 + 新产能 2028 年前不落地）全部强化，无反转信号。Samsung 罢工为新增供给约束。置信度从 8/10 上调至 9/10，维持 🟢。

数据源