摘要
维持 🟢（供给紧缺）——MU 管理层明确称 DRAM 供给不足将持续至 2026 年后，行业 bit 增长 low 20s%。洁净室物理约束 + HBM trade ratio 恶化 + 节点迁移 bit/wafer 下降三重限制 DRAM 供给弹性。
推理链
- MU：DRAM 供给不足持续至 2026 年后：管理层在 Q2 earnings call 中明确指出，AI 和传统服务器均面临 DRAM 供给不足。行业 DRAM bit shipment 增长 low 20s%（较此前上调）。（来源：MU Q2 FY2026 earnings call）
- 三重约束限制 DRAM 供给弹性：(a) 洁净室物理空间已满，新建需 2-3 年；(b) HBM trade ratio 高于传统 DRAM（生产 1 bit HBM 消耗更多晶圆面积），HBM 产能扩张挤压传统 DRAM 供给；(c) 先进节点（1-beta/1-gamma）bit/wafer 增长放缓。（来源：MU Q2 earnings call, DigiTimes）
- 三星 $73B 投资 + SK Hynix 创纪录 CapEx：两大韩国竞争者同步扩产。但受同样的洁净室约束，2026 年实际 DRAM 产能增量有限。新产能主要释放窗口在 2027-2028。（来源：news-brief/2026-03-19）
- MU FY26 CapEx >$25B 主要投建设：大部分为 Tongluo fab 和美国项目的洁净室建设，非直接产能扩张。FY27 再增 $10B+。（来源：MU earnings）
- 结论：三重供给约束使 2026 年 DRAM 紧缺格局确认。三家扩产但实际产能释放要到 2027-2028。维持 🟢 7/10。
数据源
- MU Q2 FY2026 earnings（DRAM 供给不足持续至 2026 后，bit growth low 20s%，CapEx >$25B）
- news-brief/2026-03-19（三星 $73B、SK Hynix 创纪录 CapEx、洁净室约束）