DRAM 产出

笔记当日巡检
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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢（供给紧缺）——SK 集团会长确认晶圆短缺至 2030 年（缺口 20%），Samsung 谨慎扩产，HBM4 量产进一步吸走 DRAM 晶圆。供给端收紧趋势强化。

推理链

  1. SK 集团会长：晶圆短缺至 2030 年，20% 缺口：这是 S⑦b 最重要的信号——来自行业头部 SK 集团最高决策层的多年期供需判断。20% 晶圆缺口意味着 DRAM 供给增速被结构性限制，即使需求增长放缓也难以出现供过于求。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. Samsung 谨慎扩产：三星担忧 2028 年供应过剩，不追加大规模 DRAM 扩产。行业第二大 DRAM 供应商的克制进一步限制总供给增量。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. HBM4 量产吸走 DRAM 晶圆：MU 进入 HBM4 大规模量产，HBM 消耗的 DRAM die 数量随堆叠层数增加而上升（12Hi→16Hi）。HBM 优先级高于传统 DRAM，晶圆分配进一步挤压 DDR5/LPDDR5 供给。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. Q1 存储价格超预期：虽然 70% QoQ 数据主要针对 NAND，但 DRAM 合约价同样处于上行周期。价格信号验证供需紧张。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. 结论：多年期晶圆物理约束 + Samsung 纪律 + HBM 挤占 = DRAM 供给紧缺延续。维持 🟢 8/10。

数据源