DRAM 产出

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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢 供给偏紧——DRAM 价格涨幅扩大至 YoY 180%，HBM4 量产加速（MU 首发 Vera Rubin、Samsung 发布 HBM4E）进一步加剧晶圆蚕食，MU 收购 PSMC P5 厂区为 HBM 扩产而非标准 DRAM 增产，供给紧缺格局未见松动。

推理链

  1. DRAM 价格涨幅扩大至 YoY 180%。DigiTimes 和华尔街见闻报道 DRAM 价格暴涨 180%，远超此前记录的 Q1 合约价涨幅 100%+。涨幅加速本身即是供不应求的直接验证。市场共识指向存储全年涨价"无悬念"。（来源：news-brief 2026-03-16 DigiTimes、华尔街见闻）
  1. DDR3 传统制程产品也出现合约价上涨。ESMT 确认 DDR3 合约价因供应紧张而上涨。DDR3 是成熟制程产品，其涨价说明 HBM/DDR5 对产能的挤占效应已从先进制程传导至整个 DRAM 产品线，供给紧缺具有全面性。（来源：news-brief 2026-03-16 DigiTimes）
  1. MU 宣布 HBM4 量产，锁定 NVIDIA Vera Rubin 首发。MU 在 GTC 2026 同步宣布 HBM4 36GB 12H 量产，抢在 SK Hynix/Samsung 之前锁定 Vera Rubin 供应商地位。HBM4 较 HBM3E 带宽提升 2x，单颗 HBM4 消耗的晶圆投片量更大，进一步加剧标准 DRAM 晶圆蚕食。（来源：news-brief 2026-03-16 Yahoo Finance、DCD、华尔街见闻）
  1. Samsung 发布 HBM4E 回应。Samsung 在 GTC 期间发布 HBM4E 并深化与 NVIDIA 合作，三大厂 HBM 竞争白热化。三家同时加速 HBM4/4E 量产意味着 HBM 对 DRAM 晶圆的蚕食比例将从目前的约 23% 继续攀升，标准 DRAM 有效供给进一步压缩。（来源：news-brief 2026-03-16 华尔街见闻深度）
  1. MU 收购 PSMC P5 厂区——产能用于 HBM 而非标准 DRAM 增产。MU 完成收购台湾力晶半导体铜锣 P5 厂区，扩充先进制程产能为 HBM4 量产提供保障。这不是 greenfield 新增 DRAM 总产能，而是将收购产能投入 HBM 生产，符合"升级/转产"性质（🟢 正面信号）。（来源：news-brief 2026-03-16 DigiTimes）
  1. SK Hynix GTC 2026 展示 AI 存储方案。SK Hynix 展出液冷 eSSD 等产品，存储厂商从芯片供应商向系统级解决方案转型。三大厂的战略重心均在高价值 AI 存储（HBM/eSSD），进一步确认无意扩产标准 DRAM。（来源：news-brief 2026-03-16 华尔街见闻）
  1. MU 3/18 财报前卖方积极。Baird 上调 MU 目标价，核心论据是 DRAM 定价飙升 + AI 需求。Q2 FY2026 财报（3/18-19）将提供最新 DIO、产能闲置费、DRAM bit shipment 指引等硬数据。（来源：news-brief 2026-03-16 Yahoo Finance）
  1. 扩产纪律完好，无 greenfield 信号。三大厂 GTC 公告均为技术升级（HBM4/4E）和产线转换，未出现任何 greenfield DRAM fab 扩产公告。PSMC 收购也是既有产能的用途转换。扩产纪律维持。
  1. 结论：DRAM 供给端所有指标均指向紧缺加深——价格涨幅扩大（180% YoY）、HBM4 量产加速蚕食晶圆、传统制程也涨价、无 greenfield 扩产。维持 🟢 供给偏紧，置信度 8/10。MU Q2 FY2026 财报（3/18-19）是下一个关键验证节点。

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