DRAM 产出

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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢 供给偏紧——DRAM 供给处于40年来最严重短缺状态，三大厂满产、HBM蚕食晶圆比持续攀升至约23%、合约价Q1涨幅超100%，无greenfield扩产信号，新产能最早2027年贡献。

推理链

  1. MU 满产确认，产能闲置费为零。FY2026 Q1（截至2025.11）毛利率56.0%（YoY +17.6ppt），Q2指引毛利率67-69%再创历史新高。财报未出现任何产能闲置费用（underutilization charges），确认前沿节点利用率~100%。（来源：MU FY2026-Q1-10Q.json）
  1. MU DIO持续下降，库存消化加速。DIO从FY2025全年135.4天 → Q4 FY2025 121.4天 → Q1 FY2026 123.1天（10-Q）/124.5天（8-K），整体趋势下行且处于历史低位。成品库存$1,142M仅占总库存$8,205M的13.9%，WIP $6,192M占75.5%——生产线繁忙、成品快速出货。（来源：MU FY2025-10K.json、FY2026-Q1-10Q.json）
  1. HBM蚕食标准DRAM晶圆效应显著。MU管理层明确表示"将更多DRAM产能转向HBM和高容量模组"。HBM占DRAM晶圆比约23%，每比特HBM需3-4x晶圆投片量，蚕食效应使标准DRAM有效供给被结构性压缩。2026年HBM产能已100%售罄。（来源：MU FY2026-Q1-10Q MD&A、news-brief 2026-02-14/02-27）
  1. SK 海力士确认供给极度紧张。高盛电话会上SK海力士透露DRAM/NAND库存仅约4周，洁净室空间受限，"所有客户需求都无法满足"。（来源：news-brief 2026-02-21）
  1. DRAM合约价暴涨验证供不应求。Samsung Q1 DRAM合约价涨幅一个月内从70%扩大至100%+。DDR5价格自2025年9月以来涨超400%。DDR4合约价月涨24%至$11.5创2016年以来新高。国家发改委确认存储芯片价格创历史新高。（来源：news-brief 2026-03-05 DigiTimes、news-brief 2026-02-17 Seeking Alpha、news-brief 2026-02-28）
  1. 终端OEM传导验证。涨价已从上游传导至终端：HP确认内存成本翻倍压制利润率；联想因内存短缺涨价；IDC预计手机出货量降至11.2亿部（十年最大降幅）；Hetzner云服务涨价50%。存储涨价传导链条完整。（来源：news-brief 2026-02-25 HP、2026-02-23 联想、2026-02-27 IDC/TechCrunch、2026-02-25 DCD）
  1. 新产能时间线锁定——2027年前无增量。长鑫上海线最早2027年贡献产出；MU $200B扩产计划（Boise/NY/日本/印度）属于长周期投资，从CapEx到产出约24-36个月。当前扩产主要是技术升级和产线转换（HBM/DDR5），非greenfield新增总产能。（来源：news-brief 2026-02-18 DigiTimes、MU FY2025-10K CHIPS Act）
  1. 中东地缘风险尚未实质冲击。霍尔木兹海峡紧张局势引发韩股暴跌（Samsung/SK Hynix -10%），但美银渠道调研显示"2月销售异常强劲，中东影响甚微"。韩国政府警告氦气等关键材料供应风险，但短期（<1月）内石油战略储备充足。需持续监控。（来源：news-brief 2026-03-03、2026-03-05、2026-03-07）
  1. DRAM bit supply growth 预计<20% YoY。三大厂均未宣布greenfield DRAM fab，MU FY2025 DRAM bit shipment YoY增长仅mid-teen%（约15%），在HBM蚕食效应下标准DRAM有效供给增量更低。符合🟢判定标准（<20%）。（来源：MU FY2025-10K other_metrics）
  1. 结论：DRAM供给端三重约束（扩产纪律维持、HBM蚕食效应、新产能最早2027）均处于最大化收紧状态。满产+低DIO+涨价传导完整+多方确认"40年来最严重短缺"，维持🟢供给偏紧判定，置信度上调至8/10（冷启动初始基线高于模型默认7/10，因硬数据支撑充分）。

数据源