DRAM 需求

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无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢——MU FQ2-26 DRAM 量价齐升硬数据不变（收入 $18.77B，bit shipment +mid-40%，ASP +mid-110%，毛利率 74.9%），Samsung HBM 营收暴涨三倍印证 AI 存储需求强劲，DRAM 微缩遇物理极限强化供给紧缺；消费级内存价格大跌与 AI 端 K 型分化明显，Google 存储论文带崩存储股属误杀，置信度 7/10 不变。

推理链

  1. 核心财报数据不变：MU Q2 FY2026 DRAM 收入 $18.77B（+207% YoY），bit shipment +mid-40% YoY，ASP +mid-110% YoY，Non-GAAP 毛利率 74.9%，DIO ~4 周。全面满足 🟢 判定标准。无新财报发布。（来源：ts_tool summary）
  1. Samsung HBM 营收暴涨三倍：Samsung HBM 业务爆发性增长，单季利润或刷新韩国企业历史纪录。HBM 已成存储行业利润核心驱动力。从竞争端验证 AI 驱动的高端 DRAM 需求强劲。（来源：news-brief 2026-03-30）
  1. DRAM 微缩遇物理极限：下一代内存面临延迟，现有产能更加稀缺。供给端技术约束进一步强化涨价逻辑。（来源：news-brief 2026-03-30）
  1. K 型分化：消费级内存条价格大跌（终端购买需求疑似被抑制）vs 服务器/AI 端 HBM 供不应求。Sony 因内存成本飙升上调 PS5 售价。消费端疲软不影响 AI DRAM 核心逻辑（CMBU $7.75B 为增长主力），但增加 MCBU/CDBU 增速不确定性。（来源：news-brief 2026-03-30）
  1. Google 存储论文冲击：存储芯片指数 -6.9%，MU -10%。但论文遭学术质疑，且 AI 压缩技术无法缓解内存紧缺的行业分析已反驳恐慌。（来源：news-brief 2026-03-30）
  1. 结论：需求硬数据不变，供给端约束增强（微缩极限），情绪面扰动（论文恐慌+消费端疲软）不改变 AI DRAM 基本面。维持 🟢，置信度 7/10。

数据源