DRAM 需求

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无变化 · 🟢 8/10

摘要

维持 🟢——SK 集团会长确认存储晶圆短缺至 2030 年（缺口 20%），Q1 存储价格涨幅超预期。含量跃迁（HBM4 带动 DRAM 每服务器用量）+ 晶圆紧缺 = DRAM 需求结构性增长不变。

推理链

  1. SK 集团会长：晶圆短缺至 2030 年，缺口 20%：SK 集团最高层明确供需紧张的多年期时间线。20% 晶圆缺口直接限制 DRAM 供给增速，意味着需求增长不需要放缓就能维持紧平衡。对 DRAM 定价权极为利好。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. Q1 存储价格涨幅超预期：2026 Q1 NAND 环比涨幅突破 70%。虽然该数据直接针对 NAND，但存储行业价格同向性强——DRAM 合约价上行周期同步进行中。验证供需紧张程度被市场低估。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. HBM4 量产推动含量跃迁：MU 进入 HBM4 量产，每颗 HBM4 消耗的 DRAM die 数量进一步增加（12Hi→16Hi 堆叠）。HBM 产能扩张 = DRAM 晶圆被吸走 → 传统 DRAM（DDR5/LPDDR5）供给更紧。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. Samsung 对扩产持谨慎态度：三星半导体部门担忧超级周期仅持续 1-2 年，谨慎扩产。从需求侧看，Samsung 不扩产 = 供给增量有限 = 需求方（CSP/OEM）面对的供给约束更强 → 利好价格但增加交货风险。（来源：news-brief/2026-03-17 MU）
  1. 结论：多年期晶圆短缺确认 + Q1 价格超预期 + HBM4 含量跃迁 + Samsung 谨慎扩产。DRAM 需求结构性增长叙事不变且进一步强化。维持 🟢 8/10。

数据源