存储厂扩产纪律

笔记当日巡检
← 03-192026-03-20→ 03-21
无变化 · 🟢 7/10

摘要

维持 🟢（供给紧缺/纪律维持）——MU FY26 CapEx >$25B 中大部分为洁净室建设（非产能扩张），三星 $73B AI 芯片投资长期可能打破纪律但短期受洁净室物理约束限制。SK Hynix 创纪录 CapEx 同向验证行业扩产意愿上升。

推理链

  1. MU FY26 CapEx >$25B：大部分增量为洁净室建设（Tongluo fab + 美国项目），非直接产能扩张。FY27 将再增 $10B+（建设支出）。这意味着实际产能释放要到 2028-2029 年。（来源：MU Q2 FY2026 earnings call）
  1. 三星 $73B AI 芯片投资：韩国存储巨头的巨额投入信号。若全部落地，H2 2027-2028 产能释放将显著改变供需格局。但短期（2026-2027）仍受洁净室建设周期和设备交付周期约束。发出告警——这是纪律可能松动的早期信号。（来源：华尔街见闻 2026-03-19）
  1. SK Hynix 2025 年 CapEx/研发/薪资均创纪录：HBM4 竞赛驱动。SK Hynix 作为 HBM 领先者，CapEx 增加主要投向 HBM 产能而非传统 DRAM，纪律性仍在。（来源：DigiTimes 2026-03-19）
  1. MU 洁净室物理约束：即使三家同时增加 CapEx，洁净室建设周期 2-3 年 + 设备交付 12-18 个月 = 2026 年实际产能增长仍受限。这是纪律维持的物理基础。（来源：DigiTimes 2026-03-19）
  1. MU 新加坡新 NAND fab 破土：预计 H2 2028 首批晶圆产出。新增 NAND 产能但距离产出还有 2.5 年，不改变近期供给格局。（来源：MU Q2 earnings call）
  1. 结论：三家存储巨头 CapEx 同步上升（发出告警），但洁净室物理约束使 2026 年实际产能增长可控。纪律维持但有松动迹象。维持 🟢 7/10。

数据源