摘要
维持 🟢 供给紧缺——SK 海力士 $79 亿 ASML EUV 订单加速向 1b/1c nm 节点迁移，GIST 为三星/台积电提供 wafer thinning 技术服务支持 HBM 堆叠。先进制程迁移需要更多时间和投资 = 产能释放延迟 = 供给紧缺维持。
推理链
- SK 海力士 $79 亿 ASML EUV（DigiTimes 03-24）：EUV 光刻是 DRAM 1b nm 以下节点的必要条件。SK 海力士大额 EUV 采购确认正在加速向先进节点迁移。但 EUV DRAM 的良率爬坡周期更长（vs DUV），产能释放延迟 = 短中期先进制程 DRAM 供给有限。（来源：news-brief/2026-03-24）
- GIST wafer thinning 技术（news-brief/2026-03-24）：wafer wobbling 技术为三星和台积电的 HBM 生产提供服务。HBM 高堆叠（12Hi→16Hi）对 die 减薄工艺要求极高，技术进步利好良率提升但不改变制程迁移的基本周期。（来源：news-brief/2026-03-24）
- 核心指标未变：MU 1β nm DRAM 量产中、1γ nm 开发中。SK Hynix M15X 聚焦 1b nm+。Samsung 良率爬坡（HBM3E 良率仍低于 SK Hynix）。先进制程迁移是供给紧缺的结构性原因——新节点投产慢、良率低、wafer 单位产出下降。（来源：notebook 基线）
- 结论：EUV 大额采购加速迁移 + wafer thinning 技术改善 = 长期利好，但短中期制程迁移本身是供给紧缺的结构性原因。维持 🟢 6/10。
数据源
- news-brief/2026-03-24（SK 海力士 EUV、GIST wafer thinning）
- notebook 基线（制程迁移进度、良率评估）