DRAM 产出

无变化 · 🟢 9/10

摘要

维持 🟢:美伊停火降低中东尾部风险,Samsung/SK Hynix 转向长约锁价进一步固化供给分配,所有核心指标维持绿区,DRAM 供给紧缺格局无松动迹象。

推理链

  1. 韩国双雄从季度合约转向长约——供给弹性进一步降低——DigiTimes 2026-04-09 报道 Samsung/SK Hynix 转向长约模式,部分模组 ASP 飙升最高 5 倍。长约锁定多年供应,意味着供给分配在更长时间维度上被锁死,非优先客户(PC/消费电子)获取供给的难度继续上升。此前韩国双雄"拒绝 LTA、坚持季度合同"的立场已反转,说明涨价预期从"不确定是否持续"切换为"确定持续至少到 2027"。配合 OpenAI Stargate 900K 晶圆 LOI,韩国双雄产能已被多层长约预定。来源:DigiTimes 2026-04-09。
  1. 美伊两周停火降低中东尾部风险的近期概率——2026-04-08 美伊达成两周停火,油价创六年最大单日跌幅,SOX 创历史新高,MU 涨超 8%。对供给侧影响:韩国 fab 运营成本(LNG/电价)短期压力边际缓解,霍尔木兹封锁的近期概率下降。但仅为两周临时协议,长期风险结构不变。将中东风险从"活跃监控"降级为"常规尾部监控"。来源:Reuters/华尔街见闻 2026-04-08。
  1. 花旗预测 SK 海力士 Q1 利润环比翻倍——韩国竞对财务验证持续——花旗 2026-04-09 预测 SK 海力士 Q1 营业利润环比或翻倍,Samsung 盈利 90% 来自芯片。继 Samsung Q1 利润 +700% 预喜(2026-04-07)后,卖方对韩国双雄的利润预期持续上修,从财务端验证 DRAM 供给紧缺的利润传导。来源:华尔街见闻/DigiTimes 2026-04-09。
  1. TrendForce 价格更新(2026-04-09):现货持平,合约继续上涨——DDR5 16Gb 现货 $37.027(+0.07%),DDR4 16Gb 现货 $72.00(-0.75%),现货价基本持平。合约价全线上涨:DDR4 16Gb $29.50(+13.46% MoM),DDR4 8Gb $13.00(+13.04% MoM),DDR4 4Gb $6.00(+9.09% MoM)。现货/合约价差收窄符合供给紧缺后期的典型模式。来源:TrendForce dram_spot/contract 2026-04-09。
  1. 中国产能长期方向不变,但短期压力已解——DigiTimes 2026-04-09 报道 YMTC/CXMT 在 AI 周期中重塑全球供给,长期产能扩张方向不变。与前日 CXMT IPO 推迟形成对照:短期 2026-2027 供给压力解除(IPO 延后 → 扩产资金来源受限),但 2027+ 中国增量产能风险仍在。对反面信号清单中"长鑫突破出口管制大幅扩产"构成双面修订。来源:DigiTimes 2026-04-09。
  1. 创见董事长确认 2026 全年缺货基调(延续信号)——创见董事长(产业链一手信息)2026-04-09 公开表态"缺货严重今年难缓解",缺货超预期持续。与瑞银超级周期研报(2026-04-08)、Silicon Motion 警告 2027 NAND 更严重、Phison 确认 AI 驱动需求激增等多源信号一致。供需再平衡时点推迟到 2027。来源:华尔街见闻 2026-04-09。
  1. 市场情绪过热风险——SNDK 2026-04-09 涨 9% 创历史新高,芯片存储指数收涨 3.5%,存储板块情绪处于顶点。短期估值/情绪过热风险上升,但属需求/情绪侧议题,不改变供给侧产出与库存判定。
  1. 关键数值型指标全部维持 🟢 区间——DRAM bit supply growth 13% YoY <20% 判定阈值;MU 产能闲置费 $0(满产未破);MU DIO 121.9 天连续下降;MU DRAM ASP YoY +110%+ 加速度未见拐点;HBM 售罄状态与管理层控产基调均未迁移。来源:ts_tool summary 2026-04-10。
  1. 结论:供给侧所有核心指标(产出量、库存、管理层基调、HBM 售罄、闲置费)均在绿区且方向一致。本次巡检两项增量变化——美伊停火(减少尾部风险)和韩国双雄转向长约(固化供给分配)——均为正面偏向,强化而非削弱供给紧缺判定。维持 🟢,confidence 9/10,无新增 alerts。

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